Infineon Technologiesは、同社のMedium Voltage向けPower MOSFET製品「OptiMOS Fast Diode(FD)」200V/250Vを発表した。

これらの製品は、ボディダイオードのハードコミュテーションに最適化され、デバイスとしての頑丈さ、電圧オーバーシュートの低さ、および逆回復損失の軽減を実現しているため、通信システム、工業用電源、クラスDオーディオアンプ、モータ制御回路(48～110Vシステム用)、および直流交流インバータなどのハードスイッチング アプリケーションに対し、システム安定性を提供するとしている。

また、逆回復電荷(Qrr)は標準の「OptiMOS」200V/250V製品に比べ40%の削減を実現しており、これにより電圧オーバーシュートの軽減が実現され、緩衝回路の必要性を最小限に抑えられることから、システムの信頼性を向上させることが可能になるという。

さらに、他のデバイスと比較してオン抵抗(RDS(on))が最大45%、性能指数(FOM)が最大65%削減されているという。

なお、「OptiMOS FD」200VはRDS(on)が11.7mΩのD2PAKとRDS(on)が12mΩのTO-220にて、「OptiMOS FD」250VはRDS(on)が22mΩのTO-220にてそれぞれ提供されているという。

「OptiMOS Fast Diode(FD)」200V/250Vのパッケージ外観