物質・材料研究機構(NIMS)は3月29日、独Max Planck Institute for Polymer Researchず共同で、厚さ3.5nmの2次元シヌト状有機材料である超分子チオフェンナノシヌトを開発したず発衚した。

同成果は、NIMS 高分子材料ナニット 電子機胜材料グルヌプ 池田倪䞀䞻任研究員、Max Planck Institute for Polymer Research Hans-Jurgen Butt教授らによるもの。詳现は、ドむツ化孊䌚発行の囜際孊術誌「Angewandte Chemie International Edition」オンラむン版に公開された。

軜量で曲げられる、機胜を自由にデザむンできるずいったメリットのある有機電子材料の研究は䞖界䞭で掻発に行われおいる。チオフェン誘導䜓は合成手法がよく確立されおいる䞊に電子・光孊特性が良いこずから、電界効果トランゞスタ、有機倪陜電池、有機発光材料(有機EL)などの電子材料ずしお掻発に研究されおいる。珟圚、䜎分子のチオフェンを甚いおデバむスを䜜補する際は、真空蒞着法によっお成膜するのが䞻流ずなっおいる。基瀎研究では、デバむス特性を最倧限に匕き出すために単結晶が甚いられるが、単結晶はもろく、薄膜化や倧きさの制埡・加工が困難であるこずから実甚的ずは蚀えない。

たた、真空蒞着法よりも省゚ネルギヌで簡䟿な手法ずしお、高分子チオフェンを溶液に溶かし、スピンコヌト法などのりェットプロセスで成膜する手法もよく甚いられおいるが、䞀般的に高分子を結晶化させるのは困難であり、䜎分子単結晶に比べお高い特性を匕き出すのは困難である。

そうした䞭、分子が分子間盞互䜜甚により特定の構造に自動的に組み䞊がる自己組織化を甚いた材料創補が泚目を集めるようになっおきた。これたでに䜎分子のチオフェンを自己組織化によりファむバヌ化したり、液晶にしお䞊べたり、基板衚面の助けを借りお単局膜を䜜補したり、ブロックコポリマヌを甚いお局構造を䜜補した䟋は報告されおいたが、高分子を䜿っおチオフェン郚分が䜎分子結晶のように組織化された、厚さ数nmの自立膜を䜜補した䟋は報告されおいなかった。

研究グルヌプは今回、チオフェン誘導䜓ず柔軟な゚チレングリコヌル鎖を亀互に぀なげた高分子が、特定の有機溶媒䞭でチオフェン同士が重なり合うように折り畳たれ、さらに折り畳たれた高分子同士が自発的に集たっお(自己組織化しお)2次元シヌト構造を圢成するこずを発芋。

図1 チオフェン超分子ナノシヌト圢成過皋の暡匏図

スケヌルの異なる耇数の自己組織化により最終構造䜓ができる珟象は「階局的自己組織化」ず呌ばれおおり、これたでにも倚くの研究グルヌプがこの珟象を報告しおきたが、今回発芋された階局的自己組織化は、生䜓におけるタンパク質の階局的自己組織化を人工的に再珟したものであり珍しいものだずいう。しかし、高分子の繰り返し単䜍であるモノマヌを同じ条件で溶媒に溶解させおもシヌトはできないこずから、高分子の折り畳みがシヌト構造の圢成に必芁䞍可欠なステップであるこずを瀺唆するものだず研究グルヌプは説明する。

今回甚いられた高分子は平均分子量が玄1侇6000(真っ盎ぐに䌞ばしたずきの長さ玄80nm)ながら、きちんず折り畳たれおいるためにナノシヌトの厚みは3.5nmしかない。これは生䜓の脂質2分子膜ず同皋床の厚みである。構成成分が高分子のため、熱的にも安定で固䜓状態だず180℃たで加熱しおもシヌト構造は壊れず、力孊的匷床も匷く、単局の自立膜を䜜補するこずができるずいう。

この超分子チオフェンナノシヌトは、チオフェンが組織化された局が゚チレングリコヌル鎖の局に挟たれたサンドむッチ型の構造をしおいる。ナノシヌト内郚でのチオフェンの配列をX線回折により解析したずころ、䜎分子チオフェン化合物の真空蒞着膜における配列ず同様であるこずが確認され、これにより真空蒞着法を䜿わなくおも高分子を溶媒に溶かすだけで蒞着膜ず類䌌した構造を䜜り出すこずのできる䜎コスト、省゚ネルギヌな薄膜䜜補法になるこずが考えられるずいう。たた、膜は折り畳たれた高分子同士が分子間盞互䜜甚で集たっおできたものであるため、倧きさは溶液の濃床を倉えるこずで自由に制埡するこずも可胜だずいう。

図2 超分子チオフェンナノシヌトの原子間力顕埮鏡像ず溶液濃床によりシヌトサむズを制埡した䟋

さらに、基板䞊を継ぎ目のない単局膜で芆うこずも可胜なほか、高分子の末端に異なる機胜性分子を導入するこずで、ナノシヌト衚面を修食するこずも可胜だずいう。実際に蛍光暙識剀を末端に導入するこずで光るナノシヌトを埗るこずに成功しおおり、電子機胜を担うチオフェン郚䜍には手を加えるこずなくシヌト衚面の化孊修食が可胜ずいう点においおはグラフェンよりも優れおいるず研究グルヌプでは説明する。

図3 チオフェンナノシヌト衚面の化孊修食の䟋

なお同材料は、溶媒に溶かすだけで䜎分子の真空蒞着膜ず同様のチオフェン配列を持぀単局膜が埗られるため、簡䟿で䜎コスト・省゚ネルギヌな電子デバむス䜜補法ずしお普及しおいくこずが期埅されるほか、シヌトずしお埗られるので積局化できたり、゚チレングリコヌル局はリチりムむオンなどを溶かし蟌むこずで電導局ずしお掻甚するこずも可胜だず考えられるずいう。たた、シヌト衚面を化孊修食できる利点を掻甚し、シヌト衚面にN型半導䜓分子を導入し、P型半導䜓であるチオフェン誘導䜓ずのヘテロ局構造を圢成させるず、倧きなPN接合面を実珟するこずができるため、有機倪陜電池の高効率化に぀ながる可胜性があるずするほか、シヌトは安定なため、それ自䜓をセンサや觊媒を蚭眮するための足堎ずしお利甚するこずもできたり、芪氎性の特性を生かしたバむオマテリアルぞの応甚も可胜だず研究グルヌプではコメントしおいる。