Infineon Technologiesは、同社第2世代SiCショットキー・ダイオード「ThinQ!」を絶縁型TO-220パッケージで提供すると発表した。同ポートフォリオは、絶縁ブッシュや絶縁シートを使用せずにマウントができるといった絶縁型パッケージの利点と、ショットキー・ダイオードの電気性能を併せ持つものとなる。
同社の絶縁型TO220デバイスは、特許取得済みのディフージョン・ソルダリング法を使用し、「チップとリードフレーム間」の熱抵抗を抑えるとともに、パッケージの内部絶縁層を効果的に補うことでジャンクションとパッケージ間の熱抵抗を標準的な非絶縁型TO-220デバイスと同等レベルにすることに成功している。
SiCショットキー・ダイオードの主なアプリケーション分野は、ソーラーインバータやモーター駆動装置をはじめ、スイッチング電源(SMPS)およびその他のAC/DC、DC/DC電力変換アプリケーションにおけるアクティブPFC(力率改善回路)で、今回の2A～6Aの定格電流で600Vの絶縁型TO-220ポートフォリオは、FPD(LCD/PDP)やコンピュータの電力供給アプリケーションなどでの適用が想定されている。
なお、同ポートフォリオはすでに量産出荷を開始しており、価格は、TO220パッケージの同等製品と同程度となっている。
