Taiwan Semiconductor Manufacturing (TSMC)は、同社の28nm High-K/メタルゲート(HKMG)プロセスのロードマップに低電力プロセス(28HPL)を追加したことを発表した。同社は同プロセスを2010年第3四半期にリスク生産を開始する予定としている。
現在、同社の28nmプロセスは当初のスケジュールどおりに進行しており、ロードマップ的には今回の新プロセスのリスク生産は、HKMG高性能(HP)プロセスの約1四半期後、低電力(LP) SiONプロセスの約2四半期後の開始予定となっている。
28HPLプロセスは、同社の"Gate-last"アプローチを採用した低電力、低リークかつミドルレンジの性能向けに28HPプロセスの派生として開発されたもので、携帯機器、スマート/ネットブック、無線通信などの性能が要求されるバッテリ機器に最適としている。
これにより、TSMCの28nmプロセスにはHP、HPL、LPの3つのプロセスが用意されることとなり、アプリケーションの用途に応じたプロセスの選択が可能となる。
