米JEDEC Solid State Technology Associationは1月27日(現地時間)、高帯域幅メモリ規格の次世代規格「HBM3」の仕様書「JESD238」を公開した。MicronやSK Hynics、Synopsysから製品の供給が行われる。

  • HBM3

HBM2(High Bandwidth Memory)のアーキテクチャをさらに広帯域化し、ピンあたりのデータレートを2倍にしたことで、デバイスあたり819GB/秒に相当する6.4Gb/sのデータレートを定義する次世代規格。チャンネル数も8から16へと拡張され、さらに垂直方向への4段、8段、12段のTSVスタックもサポートする。将来的には16段への拡張も見込んでおり、デバイスあたり最大64GBという極めて高いデータ密度を実現するという。

HBM3では強力なシンボルベースのオンダイECC機能を備え、リアルタイムでのエラー報告と透明性報告機能を導入。プラットフォームレベルでの高いRAS(reliability, availability, serviceability)に対する市場ニーズを満たすとしている。