2018年1月24日、日本サムスン(以下、サムスン)が、SATA 3.0 6Gbpsに対応したSSD「Samsung SSD 860 EVO」を発表した。Samsung SSD 860 EVO(以下、860 EVO)は、Samsung SSD 850 EVOの後継となる製品だ。
860 EVOには、2.5インチ、mSATA、M.2という3種類のフォームファクタが用意される。ここでは、860 EVOの2.5インチ(1TBモデル)を試用する機会を得たので、さっそくその性能を検証してみた。なお、同時に上位モデル「Samsung SSD 860 PRO」(2.5インチ)も発表されており、新モデルの仕様概要などは別記事『日本サムスン、64層V-NAND搭載SSDの新モデル「860 PRO」「860 EVO」』を参照いただきたい。
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Samsung SSD 860 EVOのパッケージ
最新の第4世代V-NANDと新型コントローラを搭載
新モデルとなる860 EVOは、NANDフラッシュメモリとして、サムスンの第4世代3bit MLC V-NANDを搭載している。従来の850 EVOでは、第2世代3bit MLC V-NANDが採用されていたので、一気に2世代、新しくなったことになる。コントローラにも新開発の「Samsung MJX Controller」を採用。
容量ラインナップは、250GB、500GB、1TB、2TB、4TBの5モデルだ。キャッシュメモリはLPDDR4 DRAMで、容量は250GBモデルと500GBモデルが512MB、1TBモデルが1GB、2TBモデルが2GB、4TBモデルが4GBとなっている。
Samsung SSD 860 EVOの表面と裏面
書き換え可能容量が850 EVOの2倍～8倍に向上
860 EVOは、850 EVOに比べて、シーケンシャルリード性能やランダムライト性能が向上している。860 EVOのシーケンシャルリードは全モデル共通で最大550MB/秒、シーケンシャルライトは全モデル共通で最大520MB/秒なのに対し、従来モデル850 EVOのシーケンシャルリードは最大540MB/秒、シーケンシャルライトは最大520MB/秒だ。新モデルの860 EVOでは、シーケンシャルリードが10MB/秒高速化されている。
また、860 EVOのランダムアクセス性能は全モデル共通で以下の通り。
- 4KBランダムリード(QD1) : 最大1万IOPS
- 4KBランダムリード(QD32) : 最大9万8000IOPS
- 4KBランダムライト(QD1) : 最大4万2000IOPS
- 4KBランダムライト(QD32) : 最大9万IOPS
一方、850 EVO(500GB～4TBモデル)は以下だ。
- 4KBランダムリード(QD1) : 最大1万IOPS
- 4KBランダムリード(QD32) : 最大9万8000IOPS
- 4KBランダムライト(QD1) : 最大4万IOPS
- 4KBランダムライト(QD32) : 最大9万IOPS
850 EVO(250GBモデル)のランダム性能は以下。
- 4KBランダムリード(QD1) : 最大1万IOPS
- 4KBランダムリード(QD32) : 最大9万7000IOPS
- 4KBランダムライト(QD1) : 最大4万IOPS
- 4KBランダムライト(QD32) : 最大8万8000IOPS
まとめると、860 EVOでは、4KBランダムライト(QD1)が2000IOPS向上した。250GBモデルで比較すると、4KBランダムリード(QD32)と4KBランダムライト(QD32)も向上している。
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Samsung SSD 860 EVO(左)とSamsung SSD 850 EVO(右)の比較。外観は非常によく似ている
大きく進化したのが、耐久性や寿命と密接に関係する、書き込み可能容量(TBW:Total Byte Written)だ。860 EVOのTBWは、250GBモデルが150TBW、500GBモデルが300TBW、1TBモデルが600TBW、2TB1200TBW、4TBモデルが2400TBWである。
850 EVOのTBWは、250GBモデルが75TBW、500GB/1TBモデルが150TBW、2TB/4TBモデルが300TBWだったので、250GB/500GBモデルではTBWが2倍に、1TB/2TBモデルでは4倍に、4TBは実に8倍も向上している。
保証期間は860 EVOも850 EVOも同じ5年保証だが、TBWが数倍に増えたことで、書き換えが多い用途でもより安心して使えるだろう。また、長時間使い続けた場合の性能低下の度合いも、850 EVOに比べて860 EVOは大きく改善されている。
