Samsung Electronicsは8月6日、3次元構造を採用した次世代NAND型フラッシュメモリ(V-NAND:Vertical NAND)の量産を開始したことを発表した。

同量産品は3D Charge Trap Flash(CTF)技術と3Dセルアレイを垂直に接続するための垂直インタコネクト技術をベースにしたもので、24層のメモリセルを積層することで、1チップで128Gビットの記録容量を達成している。

なお、同社は、同技術を用いたV-NAND製品は、20nmクラスの従来プロセス(プレーナ型)を用いたNAND製品に比べ、2倍以上の記録容量を実現可能とするほか、10nmクラスの従来型NANDに比べ信頼性を2～10倍、2倍の書き込み性能を実現していると説明している。

また、同技術を活用していくことで、将来的には1Tビット品の実現も可能であるとの見方を示している。

Samsungが開発した3次元構造を採用した次世代NAND型フラッシュメモリ(V-NAND)