さて、このNOR Flashを置き換えると期待されているのがPCM(Phase Change Memory:相変化メモリ)である。初日の基調講演でいきなりこの話が登場した(Photo41)ことで、俄然注目を集めることになった。特にRattner氏がサンプルのウェハを展示したことで、かなり現実味を帯びた話である事が裏付けられたとも言える。
![]() |
![]() |
Photo41:この直前には、Silicon Diskの話をしており、そこにこのスライドが続いたことで、PCMを使ったSilicon Diskという方向に誘導するものと言える。 |
Photo42:このウェハのサイズから見ると、量産Fabを使ったものではなく、R&Dチームの実験用Fabを使ったものと推測される。 |
IntelはこのPMCには結構長く関わっている。2001年7月にはOvonyxと共同でOUM(Ovonyx Unified Memory)をベースにPMCを開発しているという発表を行っており、その時点でもRead 100ns未満/Writeで100ns程度、書き換え寿命が10^12回程度という特性を持っていた。この時点での発表は、カルコゲン化物とヒーターを組み合わせ、加熱すると相変化が発生する事を利用する仕組みで、DVD-RAMなどと同じという話であった(このあたりの仕組みは、こちらにも詳しい)。
この当時、Intelは同時にPolymer Memoryと呼ばれるものも同時に研究していた。これはポリマー(高分子材料)を縦横の信号線で挟み込み、電界を掛けると組成が変わるという性質を利用したメモリで、ポリマー層を最大8層まで積み重ねる事が可能であり、かつ他のメモリと異なって1ビット毎に読み出しのトランジスタを設ける必要が無いといった特徴を兼ね備えていた。また電界を掛けなければデータが保存されるため不揮発性であるものの、アクセス速度はReadがμsecのオーダー、Writeはフラッシュメモリより高速な程度ということで、低速ストレージ向けという扱いだった。ただ2004年頃までにはこのPolymer Memoryの研究は中止されたそうで、その後はOUMをベースにしたPCM一本槍となった模様だ(Photo43)。使っている材料はGe2Sb2Te5で、実はDVD-RAMと全く同じである(Photo44)。
先に2001年7月に発表と書いたが、実際の開発は2000年の2月から始まっており、2003年にはSTMicroelectronicsも開発に参加している。なので、Intelだけに限っていっても、もう7年越しのプロジェクトな訳だ(Photo45)。ちなみに製品の特徴は発表前ということで明らかにされないが、PCMは全般的に良い特性を持っているとしている(Photo46)。基調講演でも触れられていたが、既に量産化に近い状態にあり、90nmプロセスを使ってまずは128Mbit NOR Flashの代替を目指すとしている(Photo47)。
今のところ有益な情報はこの程度であるが、PCMが今後量産と微細化が上手く行くようなら、今のFlash Memoryのマーケットが大きく変わる可能性がある。実のところElpida/Samsung/Qimondaといったベンダーは既にOvonyxとライセンス契約を結んでおり、Flash Memoryとはまた異なった勢力が出来上がる可能性があるからだ。こうした事を含めて、この先の不揮発性メモリのマーケットの動向が楽しみである。