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低温プロセスで高性能な多結晶酸化物半導体ナノシート、NAISTなどが開発

poly-IGOチャネルFETの性能比較。電界効果移動度または真性電界効果移動度とチャネル膜厚の関係が示されており、図中の温度はFET作製プロセス時の最高温度(今回の結果は、補正を行った真性電界効果移動度を図示)。poly-IGOは他の報告と比較して、比較的低温プロセスかつチャネル膜厚を薄くしても高い性能が得られる
(出所:共同ニュースリリースPDF)

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