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スピントンネルFET実現へ、阪大などがpn接合で室温スピン伝導を初観測

ゲルマニウムpn接合を介したスピン注入技術の模式図。今回の研究では、上部の高性能磁性体である強磁性ホイスラー合金から下部のn型ゲルマニウム(n-Ge)半導体層へ、スピン偏極電子が量子力学的バンド間トンネル伝導を介して高効率に注入され、室温でのスピン伝導が初めて観測された
(出所:都市大Webサイト)

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