ダイセルと阪大、SiCパワー半導体向けの銀・シリコン複合焼結材を開発

(a)SiCパワー半導体とDVC基板との接合構造。(b)銀とシリコンの接合界面におけるシリコン表面の酸化膜。(c)熱衝撃試験での1000サイクル後の構造内部の劣化比較。銀のみを使用した従来材料の接合構造と比較し、亀裂が小さくなり数も減少。(d)厳しい熱衝撃試験(-50～250℃)において、銀とシリコンの複合焼結材料は、銀のみの従来材料と比較し接合強度維持率が約2倍に(出所:阪大産研Webサイト)

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