AuAg膜の形成による励起した電子のSiへの注入効率改善の効果を示す図。均一なAuAg膜(a)は、島状のAuAgナノ構造(b)に比べ、電荷分離に必要なショットキー障壁をより広い面積で形成し、励起した電子のSiへの注入効率の向上につながる(出所:京大プレスリリースPDF)
吉川明日論の半導体放談 第316回 前代未聞、x86命令セットで協業するAMDとIntel
ASMLの2024年第3四半期売上高は前四半期比19.6%増の75億ユーロと好調も2025年見通しを下方修正
AMD、最大192コアを搭載する第5世代EPYCを正式発表
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2024年第4四半期のNAND価格は生産量の増加と需要減少で3~8%下落、TrendForce予測
インテルや東芝といった半導体メーカーや、CPU、メモリなどの半導体デバイスに関わる情報、市場トレンドといったホットなニュースを毎日更新。注目のIoTや自動運転など、半導体の適用範囲の拡大とともに成長が続く半導体業界の話題を詳細な説明付きで紹介します。