半導体系誤り耐性量子コンピュータの実現に前進、理研が高速・高精度なスピン状態の読み出しに成功

(上)シリコン量子ドット試料。シリコン/シリコンゲルマニウム量子ドット試料の電子顕微鏡画像。青、緑、黄土色の領域は、それぞれ異なる層のアルミニウムゲート電極。2つの量子ドットがP3およびP4ゲート電極の数十nm下の伝導チャネルに形成される(黄緑色と青色の丸印)。量子ドットの電荷状態は直近の電荷計(赤色の丸印)によって測定できる(出所:理研Webサイト)