(左)開発された化学ドーピング手法のメカニズム。(1)PCET試薬BQ/HQと疎水性陰イオンTFSI-の水溶液に高分子半導体PBTTT薄膜を浸す。(2)PCETによる酸化還元反応とTFSI-の導入が生じる。(3)ホールとTFSI-がPBTTT薄膜に導入された状態になる。(右)PBTTT薄膜の色と電気伝導度のドーピング水溶液pHに対する依存性(出所:NIMSプレスリリースPDF)
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