お知らせ: 夏季休業のお知らせ

東大、発熱を抑えて次世代磁気記憶素子スキルミオンの生成に成功

表面弾性波励起による温度上昇。(上)表面弾性波を励起する前(左)と励起中(右)の温度の分布。薄膜の領域における温度変化がほぼないことがわかった。(下)薄膜領域の平均温度を、表面弾性波を励起する交流信号の強さに対してプロットしたグラフ。交流信号の強さを強くしても、温度がほぼ変わらなかった (出所：東京大学WEBサイト)

22

記事ページに戻る

編集部が選ぶ関連記事

アクセスランキング

ランキングをもっと見る

もっと見る

このカテゴリーについて

インテルや東芝といった半導体メーカーや、CPU、メモリなどの半導体デバイスに関わる情報、市場トレンドといったホットなニュースを毎日更新。注目のIoTや自動運転など、半導体の適用範囲の拡大とともに成長が続く半導体業界の話題を詳細な説明付きで紹介します。