広島大学は6月13日、63％という高い発光量子収率を示す「シリコン量子ドット」(SiQD)の合成に成功し、これにより開発したSiQD LEDが、外部量子効率(変換効率)・耐久性・動作電圧・輝度・輝度性能において世界記録を樹立したことを発表した。

同成果は、広島大大学院 先進理工系科学研究科(化学プログラム)の王理博士(博士課程後期修了)、広島大 自然科学研究支援開発センター(研究開発部門)の齋藤健一教授らの研究チームによるもの。詳細は、ナノサイエンスとナノテクノロジーを扱う学術誌「Small Science」に掲載された。

シリコン量子ドットの3大課題とは

ディスプレイやセンサ、太陽電池、医療、触媒など、さまざまな応用展開が期待される量子ドットは、数ナノメートル(nm)サイズの発光性半導体ナノ結晶だ。その特徴は、サイズ制御によるフルカラー発光、最大100％に迫る高効率発光、極めて狭い発光スペクトル幅(20～40nm)による有機ELの約3～4倍の色域表現、そして溶液プロセスにより大気圧・低温環境下でデバイス製造が可能(真空・高温・クリーンルームが不要)な点にある。

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