東レは9月17日、次世代パワーエレクトロニクス（インバータなどの電力機器）に用いられるシリコンカーバイド（Silicon Carbide、以下「SiC」)トランジスタ向けに、製造工程であるイオン注入プロセスを大幅に簡略化できる感光性耐熱レジストを開発した。

新たに開発した感光性耐熱レジストを用いたSiCトランジスタ製造プロセスを確立したことにより、SiCダイオードとSiCトランジスタによる「フルSiC」パワー半導体モジュールに対応した材料提供が可能となる。

東レは今後、本開発品の量産プロセスへの適合を目指し、材料・プロセス両面の最適化を進めていく。