NXP Semiconductorsは、無線/セルラー基地局向けの第9世代LDMOS RFパワートランジスタを発表した。

同シリーズの初期製品は、対称および非対称ドハティパワーアンプ向けにデザインされており、従来の高ボリュームパッケージ封入で標準の電力密度を提供。これにより、ドハティアプリケーションの効率を5%以上向上させることが可能になるという。

また、第9世代技術は、従来の1800、2100、2700MHzなどよく使われる周波数への対応のほか、3.4～3.8GHzでの動作向けに最適化されており、今後の無線通信需要への対応も可能となっている。

なおすでに150AV 第9世代デバイス「BLC9G27LS-150AV」がサンプル出荷を開始しているほか、数種類のトランジスタが主要OEMメーカーに対してサンプル出荷を行っているという。