エルピーダメモリとQimondaは24日、DRAMの共同開発に関する技術提携の覚書(MOU)を締結したことを発表した。この提携により、Qimondaは独自の埋め込み型ワード線(buried wordline)技術のノウハウを、エルピーダは先端のスタックキャパシタ技術をそれぞれ提供、4F2セルを適用したDRAM製品の開発ロードマップを加速させるとしている。

また、両社は、広島とドレスデンそれぞれのサイトにエンジニアを相互派遣し、製品の相互融通と将来的な合弁工場の可能性を視野に入れ、テクノロジプラットフォームと設計ルールの共同開発も行うとしている。

なお、両社は共同開発する4F2セルを2010年頃の40nm世代から導入、次世代となる30nm世代へと展開することを計画している。