ルネサス テクノロジは、64Mビットの低消費電力SRAM「R1WV6416Rシリーズ」を発表した。SRAMセルとDRAMキャパシタ(スタックトキャパシタ)を組み合わせた「Advanced LPSRAM」(アドバンスト低消費電力SRAM)と呼ぶ独自のメモリセルを用いており、ソフトエラーが少ないことや、ラッチアップが発生しない、セル面積が小さいといった特徴がある。パッケージやアクセスタイムなどの異なる12品種を用意している。
本製品のアクセスタイムは、55nsまたは70ns。パッケージは、52ピンのμTSOP、48ピンのTSOP I、 48ピンのFBGAの3種類。電源電圧は2.7～3.6V、スタンバイ電流は8μA(3.0V、25℃)である。動作温度は、0～70℃または-40～85℃。
サンプル価格は6,500円。7月からサンプル出荷を開始する。産業、民生、OA、車載、通信機器など、幅広い分野での採用を目指す。
また、同社では従来よりもチップサイズの小さい32ビットのAdvanced LPSRAM「R1LV3216Rシリーズ」のサンプル出荷を4月より開始する。従来は16ビット品を2個積層して1パッケージ化していたが、本製品は1つの32ビットSRAMのみで構成している。なお、「R1WV6416Rシリーズ」(64ビット品)は、本製品を2個積層している。
「R1LV3216Rシリーズ」のアクセスタイムと電源電圧、動作温度は64ビット品と同じ。スタンバイ電流は4μA。パッケージはμTSOPとTSOP Iの2種類で、価格は3,500円。8品種を用意している。
