米IntelとMicronは26日(現地時間)、従来のNAND技術と比較して3倍の容量を実現する3次元NAND型フラッシュメモリを発表した。
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3D NANDに初めてフローティング・ゲート・セルを採用。フラッシュセルを垂直に32層重ねることで、MLCで256ギガビット、TLCで384ギガビットのダイを実現したという。これにより、M.2 SSDのような「板ガムサイズ」のSSDで3.5TB以上、標準的な2.5インチSSDでも10TB以上のストレージ容量を搭載できるという。また、性能と耐久性の両方が向上し、TLCでもデータセンター向けSSDに利用可能になるとしている。
このほか、高密度化により、コスト削減や低消費電力化、パフォーマンス向上も期待できる。
256ギガビットMLC 3D NANDは本日、384ギガビットTLC 3D NANDは2015年春より、一部パートナー向けにサンプル出荷を開始し、2015年第4四半期までに量産出荷を開始するという。また、IntelとMicronは、それぞれ個別の3D NAND技術を採用したSSDソリューションの製造ラインを準備中で、2016年中に量産製品を提供する。
