Samsung新型2.5インチSSD「Samsung SSD 840 EVO」 - 高速化技術「TurboWrite」と「RAPID Mode」とは?

既報の通り、韓国サムスン・エレクトロニクスは7月18日、韓国・ソウルでSSD関連の発表会「2013 Samsung SSD Global Summit」を開催。コンシューマー向け2.5インチSSDの新製品「Samsung SSD 840 EVO」を発表し、その高速化技術について解説を行った。

Samsung SSD 840 EVOは、2012年9月に登場した「Samsung SSD 840」の後継モデル。TLC NANDフラッシュを採用したメインストリーム向け製品でありながら、ハイエンド製品のSamsung SSD 840 PROに匹敵する性能を実現している。ここでは、Samsung SSD 840 EVOに新たに搭載された高速化技術を紹介したい。

多くの国でSamsung SSDがマーケットシェアトップを達成

同サミットでは、ブランドプロダクトマーケティングチームマネージャのジョナサン・ダ・シルバ氏が、Samsung SSD 840 EVOの新技術について解説。同氏はまず、Samsung SSDの各国でのマーケットシェアの変遷について述べた。

サムスンが同社ブランドでのコンシューマー向けSSD販売を開始したのは2010年だが、シェアを急速に伸ばし、わずか3年で、多くの国でマーケットシェアナンバーワンを達成している。また、CPUの性能向上ペースに比べて、HDDの性能向上ペースははるかに遅く、年々性能差が開いているため、ストレージがパフォーマンスのボトルネックになっていることを指摘した。

コントローラが高速化し、キャッシュ容量が倍増

新モデルのSamsung SSD 840 EVOと、従来モデルであるSamsung SSD 840のハードウェア的な違いは、NANDフラッシュのプロセスルールのシュリンク、コントローラがMDXからMEXに変更されたこと、キャッシュサイズ倍増の3点である。ラインナップを見ると、Samsung SSD 840 EVOでは、新たに750GB / 1TBモデルが追加され、全部で5モデルとなった(120GB / 250GB / 500GB / 750GB / 1TB)。

Samsung SSD 840のNANDフラッシュは2x nmプロセスルールで製造されていたが、Samsung SSD 840 EVOのNANDフラッシュは19nmプロセスルールだ(プレゼンテーションでは1x nmとなっていたが、質疑応答で19nmであることが明らかに)。

また、Samsung SSDは、NANDフラッシュを知り尽くしたSamsung製コントローラを採用していることがウリの一つ。Samsung製コントローラは「MAX」→「MBX」→「MCX」→「MDX」と進化してきており、今回のSamsung SSD 840 EVOに搭載されたMEXは、第5世代となる。MEXは、第4世代のMDXと同じくトリプルコアだが、コアクロックが300MHzから400MHzへと33%向上し、処理性能がアップしている。キャッシュとして用いるDRAM容量は、最大512MBから最大1GBに倍増した(キャッシュ容量はSSD容量によって異なり、120GBモデルが256MB、250GB / 500GBモデルが512MB、1TBモデルが1GB)。

ファームウェアに関しても、大きく改良が行われている。後述する「TurboWrite」も、ファームウェアによって実現されている機能だが、それ以外にも、信号処理アルゴリズムが改善されており、従来と同等の信頼性を実現したという。

Samsung SSD 840 EVOは、2012年に登場したSamsung SSD 840に続く、第2世代のTLC SSDであり、そのコンセプトは「より高速に」「より高い信頼性」「より簡単に」というものだ。プレゼンでは実際のベンチマーク結果が示されたが、Samsung SSD 840 EVOは、Samsung SSD 840に比べて、ランダムリード/ライト性能やシーケンシャルライト性能が大きく向上している。このうち、ランダムリード/ライト性能の向上は、コントローラのクロックが上がり、処理性能が向上したことが大きな理由だ。

次ページ: TLCなのにSLC ? 特に重要な新技術「TurboWrite」