東芝は7日、43nmプロセスを用いて1チップで16Gビットを実現したNAND型フラッシュメモリを開発したことを発表した。サンプル出荷は本日より行われている。

同メモリは、並列メモリセル数を従来の32セルから2倍に増やし、セルの両端に高電圧印加時の誤書き込み防止に役立つダミーワード線を加えた66セル構成を採用している。これにより、セル両側にあるセレクトゲートの数を削減、面積効率を向上させている。

また、周辺回路として高電圧スイッチを搭載することでワード線駆動のためのコントロールゲートドライバの共有化を図り、電源用配線などの設計見直しと合わせてチップ面積を56nmプロセス世代の同容量製品に対し約30%削減を実現している。

量産は3月より同社四日市工場にて行われる。また、32Gビット品については、2008年第3四半期の早い段階で量産を開始する予定としている。