東芝は、携帯電話向けのNAND型フラッシュメモリ「mobileLBA-NAND」を発売する。メモリ容量の異なる2Gビット、4Gビット、8ビット、16Gビット、32Gビットの5品種を用意している。

NAND型フラッシュメモリ「mobileLBA-NAND」

本メモリは、データを高速に読み書きできる二値記憶領域と、素子あたりのデータ保存量の高い多値記憶領域を任意の容量で設定できる。二値記憶領域は最大8Gビットまで設定可能。ホストコントローラの負荷を低減するため、書き込みや消去のブロック管理が不要な論理アドレスアクセス方式の制御機能や、エラー訂正機能などを搭載している。

電源電圧はコントローラ部分が1.7～1.95V、NAND型フラッシュメモリ部分が1.7～1.95Vまたは2.6～3.3Vである。8月からサンプル出荷を開始する予定。