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連載

次世代デバイス向け構造/材料用エッチング/洗浄/乾燥に脚光

1X-nm STI構造のIPA乾燥後のパターン倒壊(左)と表面エネルギー減少のための表面改質処理によるパターン倒壊が生じない正常なパターン(右) (出典:UCPSS2018におけるT.Koide氏の予稿集)

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