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電通大、高密度・高均一な半導体量子ナノワイヤのSi基板への作成技術を開発

(左)直径の異なるInAsナノワイヤの発光スペクトル。(右)InAsナノワイヤ直径と発光ピークエネルギーの関係(WZ:ウルツ鉱構造、ZB:閃亜鉛鉱構造)。量子サイズ効果によってバルク結晶よりも発光エネルギーは高エネルギー化し、量子ナノワイヤの直径を変化させることにより発光エネルギーを制御することができる(出所:電通大プレスリリースPDF)

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