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(a)「0」と「1」の情報に対応する2値のトンネル磁気抵抗効果の模式図。Mn3Sn-MTJ素子のクラスター磁気八極子偏極の平行と反平行状態が示されている。(b)室温において測定された、Mn3Sn/トンネル障壁層(MgO)/Mn3SnのMTJ素子における磁気抵抗効果。図中のオレンジ色の矢印は、2つのMn3Sn層におけるクラスター磁気八極子偏極の方向。反平行状態(↑↓、↓↑)は平行状態(↑↑、↓↓)よりも電気抵抗が小さくなっている (出所:東大Webサイト)

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