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東大など、三次元垂直チャネル型の強誘電体/反強誘電体メモリの開発に成功

(a)提案されている酸化物半導体をチャネルとした三次元垂直チャネル型FeFETの模式図。ゲート絶縁膜には強誘電体HfO₂が用いられている。(b)酸化物半導体を三次元構造に成膜するときの問題と解決法。ALD法を用いることで、三次元構造に均一に成膜できる (出所:プレスリリースPDF)

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