外部磁場が不必要かつ低消費電力で磁化反転可能となる新手法、東北大が開発

多結晶CoFeB/Ti/CoFeB構造で実施された実験データ。(a)不揮発性磁気メモリの製造方法を用いて作製された多結晶CoFeB/Ti/CoFeB構造。(b)外部磁場を印加しない状態で強磁性体の磁化を反転させるのに必要な電流密度の磁化方向依存性。新しいスピン流を利用できる磁化角度では30％の低電流密度化が実証された (出所:東北大プレスリリースPDF)

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