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阪大、光子-スピン量子インタフェースで変換効率が3倍の量子ドットを開発

光子-電子スピン量子状態変換の模式図。(左)従来の(001)面上GaAs量子ドットだと、重い正孔のスピン状態は磁場下で分裂せず量子状態転写ができない。(右)今回の(110)面上GaAs量子ドットだと、重い正孔のスピン状態も磁場下で分裂し量子状態転写が可能となる (出所:阪大Webサイト)

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