レポート

次世代GAA FET構造形成のためのエッチング・洗浄に脚光 - SCST 16

図2 Co配線層リセス(表面を非常に薄くエッチングで除去)のための2つの方法。酸化剤/エッチング剤混合液を用いて酸化とエッチングを同時に行う従来の方法(上)と酸化剤とエッチング剤を交互に用いて酸化とエッチングを別々に行うデジタルエッチング手法。酸化膜を成長させ("1"に相当)それを除去する("0"に相当)し、101010…のように繰り返すところからデジタルエッチングと名付けられた (出所:imec)