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レポート

3nm未満のプロセスをどう実現するのか? imecが語った研究戦略

図12 左がUnisantisとimecが共同開発したSGT搭載SRAMのセル面積の過去のISSCCで発表されてきたSRAMキャッシュセル面積の比較。右側は、Unisantisの考案したSGTの模式図(左側)と試作品の断面の透過顕微鏡写真(右側)。ただし、電気的測定結果は未発表である

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