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レポート

3nm未満のプロセスをどう実現するのか? imecが語った研究戦略

図6 高性能トランジスタ実現のための材料変更。配線材料をWからCoやRuに替えてコンタクト抵抗低減(左)、トランジスタのスペーサ材料をSiNからSiCOに替えてk値を下げてキャパシタンス低減(中)、チャネル材料をSiからGeに替えてキャリア移動度向上(右)。

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