東芝メモリは1月9日、96層積層プロセスを用いた3次元フラッシュメモリ「BiCS FLASH」と新規開発のコントローラーをsingle packageに納め、高いリード性能を実現した最大容量1TB（1,024GB）のNVMe SSD「BG4」シリーズの開発を発表した。

同日より一部のPC OEM向けにサンプル出荷を開始し、2019年第2四半期（4月～6月）以降、順次出荷を拡大していく予定だ。

  • NVMe SSD「BG4シリーズ」

    NVMe SSD「BG4」シリーズ

新たに開発された「BG4」シリーズは、PCIe Gen3 x4レーンに対応するsingle package SSD。シーケンシャルリードは最大2,250MB/s、ランダムリードは業界最速をうたう最大380,000 IOPSを実現した、高いリード性能を誇る。

超薄型モバイルPCやIoTの組み込み系システム、サーバーやデーターセンターのブート用途など、小型で高速処理が求められる用途に適している。

製品ラインナップは、128GB、256GB、512GB、1TBの4つの容量が用意され、128GB、256GB、512GBの厚さは1.3mm、フォームファクタはそれぞれ面実装タイプのM.2 1620（16×20mm）と、抜き差し可能なモジュールタイプのM.2 2230（22×30 mm）を展開する。

また、NVM Express (NVMe) Revision 1.3bに対応し、オプションとしてTCG Opal Version 2.0.1の自己暗号化機能に対応した機種も用意される。

なお、BG4シリーズは米国ラスベガスで1月11日まで開催される「CES 2019」において、Toshiba Memory AmericaのVenetian Resortでのプライベートブースで展示とデモが行われている。