速度1,000倍・集積度10倍のメモリ技術、IntelとMicronがブレークスルー

米Intelと米Micron Technologyは28日(現地時間)、不揮発性メモリの新技術「3D XPoint テクノロジー」の開発に成功したことを発表した。現在のNANDテクノロジーに比べ、1,000倍の高速化、10倍の集積度向上を実現したという。両社は2015年のサンプル出荷を目指して開発を進めていく。

3D XPoint テクノロジーは、IntelとMicronが10年以上にわたって研究開発を進めてきた画期的なメモリ技術。性能や集積度、消費電力、不揮発性、コストなどにおいて、優位性を兼ね備えており、1989年に登場したNANDフラッシュメモリ以来の大きな技術革新となる。

高密度なクロスポイント配列構造とメモリセルを積層化できることが特徴で、当初は2層、ダイあたり128Gb(ギガビット)の容量で生産する。将来的には積層数の増加と微細化技術により、さらなる大容量化を見込む。