韓国サムスン電子は9日(現地時間)、2.5インチSATA SSDの新モデルとして、3次元構造のNANDフラッシュ(3bit MLC 3D V-NAND)を採用した「Samsung SSD 850 EVO」を発表した。12月下旬の出荷予定で、ラインナップは120GB、250GB、500GB、1TBの4モデル。日本での発売時期は未定だが、12月下旬から世界53カ国で発売するとしている。
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Samsung SSD 850 EVO |
Samsung SSD 850 EVOが採用する3bit MLC 3D V-NANDは、セルを垂直方向に積層した3次元構造のNANDフラッシュで、すでに2bit MLC 3D V-NAND搭載の「Samsung SSD 850 PRO」が日本でも発売済みだ。Samsung SSD 850 PROはエンタープライズ領域まで見据えたハイエンドモデルだが、今回のSamsung SSD 850 EVOはメインストリーム向けの2.5インチSATA SSDとなる。
各モデル共通のパフォーマンスとして、シーケンシャルリードが最大540MB/秒、シーケンシャルライトが最大520MB/秒、4KBランダムリード(QD1)が最大10,000IOPS、4KBランダムライト(QD1)が最大40,000IOPS。
4KBランダムリード(QD32)の最大値は、120GBモデルが94,000IOPS、250GBモデルが97,000IOPS、500GBモデルと1TBモデルが98,000IOPSだ。4KBランダムライト(QD32)の最大値は、120GBモデルと250GBモデルが88,000IOPS、500GBモデルと1TBモデルが90,000IOPSとなっている。
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DRAMキャッシュにはLPDDR2を採用し、容量は120GBモデルが256MB、250GBモデルと500GBモデルが512MB、1TBモデルが1GBだ。TBW(Total Byte Written)は、120GBモデルと250GBモデルが75TBW、500GBモデルと1TBモデルが150TBW。3D V-NANDは耐久性が高いことから、Samsung SSD 850 EVOの保証期間は5年となっている。
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コントローラは、120GB/250GB/500GBモデルは新型の「Samsung MGX」、1TBモデルはSamsung SSD 840 EVOやSamsung SSD 850 PROと同じ「Samsung MEX」だ。セキュリティ機能として、AES 256bitのフルディスク暗号化や、TCG/Opal V2.0をサポート。消費電力は最大4.4W(1TBモデル)で、デバイススリープ時は2mWまで落ちる(1TBモデルは4mW)。
なお、2015年には、3D V-NAND技術をベースにしたmSATAやM.2フォームファクタのSamsung SSD 850 EVOファミリーを投入することも明らかにしている。
