筑波倧孊は1月8日、ベンれンずシクロブタゞ゚ンが反応し、ベンれン環(C6H6)が圢匏的にC4H4ずC2H2の2぀のフラグメントに開裂する反応を発芋したず発衚した。

成果は、筑波倧 数理物質系の関口章教授らの研究チヌムによるもの。研究の詳现な内容は、1月8日付けで英オンラむン科孊誌「Nature Communications」のオンラむン速報版に掲茉された。

有機化孊の教科曞を開くず、亀の甲に䌌たおなじみの六角圢の分子を芋぀けるこずができる。それがベンれンだ。ベンれンは代衚的な「芳銙族」分子の1぀で、6個の炭玠原子が平面䞊に䞊んだ安定した構造をしおおり、倚<の有機化合物の基本骚栌ずなっおいる。同時に最も基本的な有機分子の1぀であり、炭玠のでできたサッカヌボヌルのフラヌレン(C60)や鉛筆でおなじみのグラファむト(黒鉛)もベンれン環の連なりでできおいる。

6個の「パむ(π)電子」が非局圚化した環構造は「芳銙族性」を獲埗し、極めお安定な分子ずなるこずが知られおいる。これを「ヒュッケル則」ずいう。結合軞から盎亀する方向に広がった2぀のp軌道で圢成される結合をπ結合ず呌び、π電子ずはそれによっお共有される電子のこずだ(結合軞䞊にある電子はシグマ(σ)電子ず呌ばれ、パむ電子ずは区別される)。π電子はσ電子に比べお゚ネルギヌ準䜍の高い軌道にあるため、化合物の性質、物性を決める最も重芁な芁玠の1぀ずなる。

たたヒュッケル則に぀いおもう少し説明するず、環状にπ電子が共圹した単環匏の分子あるいはむオンにおいお、4n+2個(n=0、1、2
)のπ電子を持぀ものは、芳銙族性を獲埗し、安定化するずいう法則のこずいう。たた、π電子の数が4n個(n=1、2
)の堎合は、逆に反芳銙族性を瀺しお䞍安定化する。

前述したようにベンれンは芳銙族分子であり、枩和な条件での付加反応や分解反応は起きない。ベンれンの反応は、䞀般にベンれン環の氎玠原子をほかの原子や眮換基に眮き換える眮換反応であり、ベンれン環構造そのものを壊すためには、芳銙族性の基になっおいる安定化の倧きな゚ネルギヌを越えるこずが必芁なのだ。

よっお、ベンれンの分子匏はC6H6で衚されるが、これを2぀のフラグメントに分解する反応は極めお過酷な条件でない限り、進行しないず考えられおいた。事実、環境汚染物質ずしお知られるダむオキシンやPCB(ポリ塩化ビフェニル)の構造には塩玠で眮換されたベンれン環があり、環境䞭で分解されないこずが問題ずなっおいるこずは呚知の通りだ。ベンれン環を壊すには、䟋えば金属觊媒を甚いお高枩高圧䞋で行う氎玠化のように、倧きな゚ネルギヌが必芁なのである。

そしお、ベンれンずよく䌌た環状構造を持぀のが、シクロブタゞ゚ン(C4H4)ずいう分子だ。シクロは「環」、ブタ(ン)は「炭玠が4぀」、ゞ゚ンは「二重結合が2぀共圹しおいる」こずを指す。同じ平面の環状構造ではあるが、六角圢ではなく四角圢であるために反応性はたったく異なり、䞍安定で反応性が高いずいう性質を有しおいる。

2぀の二重結合は1぀の環の䞭で隣り合っおおり、4個のπ電子が共圹可胜な配眮になっおいるずいう具合だ。この電子配眮はヒュッケル則に反しおおり、䞍安定な反芳銙族分子ずなる(兞型的な反芳銙族分子ずしお挙げられるこずが倚い)。そのためにシクロブタゞ゚ンは反応性が非垞に高く、近づくものずすぐに反応しおしたうため、呚蟺眮換基を工倫しなければ単離するこずもできないずいうほどだ。

そこで関口教授らは「ケむ玠眮換基」などを組み蟌むこずによっお、高い反応性を保ち぀぀単離する方法を開発。さらに「電子求匕性」に富む眮換基を導入し、ベンれンず反応させたずころ、ベンれンを圢匏的にC4H4ずC2H2の2぀のフラグメントに分解できるこずが確認されたのである。぀たり、シクロブタゞ゚ンの極めお高い反応性を利甚しお、ベンれンの環構造を掻性化し、その炭玠骚栌を壊すこずに成功したずいうわけだ。この反応は、化孊的に安定な分子を容易に掻性化する方法ずしお、画期的な発芋だずいう。

今回の研究では、ベンれンずシクロブタゞ゚ンの反応により、ベンれンが2぀のフラグメントに分解する反応が発芋されたわけだが、たず光反応によっお3぀のケむ玠眮換基ず1぀の電子求匕基を有するシクロブタゞ゚ンを合成し、単離、構造解析などが行われた。眮換基を持たないシクロブタゞ゚ンは、非垞に䞍安定で単離するこずはできないが、ケむ玠眮換基の立䜓電子的効果によっお安定に単離するこずができるのである(画像1・2)。

画像1(å·Š):シクロブタゞ゚ンの分子構造。青=炭玠原子、赀=ケむ玠原子、緑=フッ玠原子。 画像2(右):シクロブタゞ゚ンの䞭心の4員環の骚栌は長方圢であるこずがX線結品構造解析によっお明らかになった

たた、「ペンタフルオロフェニル基(C6F5)」は匷い電子求匕基であり、分子軌道蚈算の結果、C6F5基の導入によりシクロブタゞ゚ンの「最䜎画像3はシクロブタゞ゚ンの分子軌道図で、母䜓のシクロブタゞ゚ン(å·Š)に比べお、ケむ玠眮換基ずペンタフルオロフェニル基を導入した化合物(右)の方が、最䜎空軌道(LUM0)の゚ネルギヌ準䜍が䜎䞋しおいるこずがわかる。空軌道」の゚ネルギヌ準䜍が倧きく䞋がっおいるこずが明らかになった。

なお最䜎空軌道ずは、分子軌道における電子の軌道に関する甚語だ。分子軌道においお、゚ネルギヌの䜎い(぀たり安定な)方の軌道から電子を配眮しおいくず、電子の満たされおいる軌道(占有軌道)ず電子の満たされおいない軌道(空軌道)ができる。占有軌道の内、゚ネルギヌの最も䜎い軌道を最䜎空軌道(Lowest Unoccupied Molecular Orbital:LUMO)ずいい、反察に最も高い軌道を「最高占有軌道(Highest Occupied Molecular Orbital:HOMO)」ずいう。

画像3。シクロブタゞ゚ンの分子軌道図

そこで、このシクロブタゞ゚ンをベンれンず共に120℃に加熱したずころ、「付加環化反応」に続いお、ベンれン環の開裂反応が起こったのである(画像4)。通垞、ベンれンの「ディヌルス・アルダヌ反応」(共圹ゞ゚ンにアルケンが協奏的に付加しお6員環生成物を䞎える反応のこずで、代衚的な[4+2]型付加環化反応)では、掻性化された基質を甚いたずしおも、200℃以䞊の高枩加圧の条件が必芁ずされる。䟋えば、ベンれンず「ヘキサクロロシクロシクロペンタゞ゚ン」ずの反応は、240℃、1䞇気圧ずいう非垞に過酷な条件で進行するず報告されおいるほどだ。

それが今回のシクロブタゞ゚ンをベンれンでは同様の反応が垞圧、120℃皋床の加熱で進行したのだから、シクロブタゞ゚ンの反応性がいかに匷力であるかがわかる。シクロブタゞ゚ンのπ電子は極めお反応性に富む軌道を䜜り出し、たた呚蟺眮換基の効果によっお、反応性をさたざたにコントロヌルするこずが可胜だ。その結果、非垞に匷固な結合ずしお知られるベンれンの炭玠-炭玠結合すら切断するこずを可胜にしたずいうわけである(画像5)。

画像4(å·Š):シクロブタゞ゚ンによるベンれン環の開裂反応。比范的枩和な条件で、ベンれン環のC-C結合の開裂が進行しおいる。 画像5(右):ベンれンずシクロブタゞ゚ンずのディヌルス・アルダヌ反応

シクロブタゞ゚ンの反応性の高さは、π軌道゚ネルギヌが高いこずに由来する。シクロブタゞ゚ンの最倧の特城は、この特異なπ共圹系にあるずいっおも過蚀ではないずいう。゚ネルギヌ単䜍の高いHOM0ず、゚ネルギヌ準䜍の䜎いLUM0を合わせも぀シクロブタゞ゚ンでは、さたざたな有機分子ずの反応に必芁な゚ネルギヌ(掻性化゚ネルギヌ)を簡単に越えるこずが可胜だ。これを発展させるず、ベンれン環のほかにも、化孊的に極めお安定であるがため反応性に乏しい分子を容易に掻性化できるようになるず考えられ、さたざたな新芏物質の創成に぀ながるものず期埅されるずしおいる。