エルピーダメモリは14日、40nm CMOSプロセスを採用した2GビットDDR Mobile RAMを開発したと発表した。量産プロセス40nmの世代において、世界最小という50平方mm以下のチップサイズを実現している。サンプル出荷開始は2010年6月、量産開始は2010年7月の予定だ。

2GビットDDR Mobile RAM

小型・軽量が求められる携帯電話やスマートフォン、タブレット端末での利用を想定したDRAM。本製品では、回路設計、レイアウト設計の最適化や独自の設計手法により、世界最小サイズとあわせて低消費電力動作も実現する。同社50nmプロセス1Gビット品比では、同等の実装スペースで2倍の容量が可能なほか、動作電流を30%低減。同1Gビット品×2個実装比では、消費電力を半分以下に抑えることができるとしている。

主な仕様は、データ幅が×16ビット/×32ビット。ピンあたりデータ転送レートが400Mbps。電源電圧がVDD1.8V、VDDQ1.8V/1.2V。動作温度範囲が－25～85℃。出荷形態がベアチップ、60/90ボールFBGA、PoPタイプFBGA。