東北大、記憶と演算の機能を併せ持つAI向けスピントロニクス素子を開発

(a)従来の素子の動作方式。印加電流の符号(正/負)で強磁性層に書き込まれる情報(1/0)が一意に決まる。(b)今回開発された「双方向制御」が可能な素子の動作方式。強磁性層はCoFeB、ノンコリニア反強磁性層はMn₃Snで構成。電流範囲1ではノンコリニア反強磁性層が強磁性層を制御し、電流範囲2では強磁性層がノンコリニア反強磁性層を制御する(出所:東北大プレスリリースPDF)