韓国Samsung Electronicsは9月1日（現地時間）、12nmプロセスを採用して32Gb DDR5 DRAMメモリを開発し、2023年中の量産開始を予定していると明らかにした。

  • Samsung、32Gb DDR5メモリを開発 - 最大1TBものDRAMすら実現可能な高密度

2023年5月には12nmプロセスで16Gb DDR5 DRAMメモリの開発について発表していたが、今回発表されたのは32Gb DDR5 DRAMメモリ。16Gb品ではシリコン貫通ビア（TSV）プロセスが必要だったが、32GbではTSVプロセスを省略されている点がポイント。圧倒的な高密度設計で128GBもの大容量DRAMモジュールを製造できるようになり、システム全体で1TBを超える大規模なメモリ空間を構築できる。

同社は発表に寄せて、「当社は今後も、差別化されたプロセスおよび設計技術を通じてDRAMソリューションを開発し、メモリ技術の限界を打ち破っていきます」と述べている。