2016年9月21日、韓国サムスン・エレクトロニクス(以下、サムスン)が、NVMe 1.2に対応したM.2フォームファクタの高性能SSD「Samsung SSD 960 PRO」および「Samsung SSD 960 EVO」を発表した。プロフェッショナルユーザーをターゲットにしたハイエンドモデルの「Samsung SSD 960 PRO」については、すでにレビュー(http://news.mynavi.jp/articles/2016/10/19/samsung-ssd-960pro/)をお届けしているが、今回はコストパフォーマンス重視のメインストリーム向け製品「Samsung SSD 960 EVO」(以下、960 EVO)の1TBモデルを検証してみた。
M.2 2280準拠で3bit MLC V-NANDを採用、950 PROを上回る性能
960 EVOは、M.2フォームファクタに準拠したSSDであり、インタフェースはPCI Express 3.0 x4だ。M.2では、長さと幅が異なるいくつかのサイズが規定されているが、960 EVOは幅が約22mm、長さが約80mmの2280規格に準拠している。
NANDフラッシュメモリには、サムスンの第3世代3bit MLC V-NANDを採用。コントローラは上位モデルの960 PROと同じく、新開発の「Samsung Polaris Controller」だ。従来のコントローラは3コアCPUだったが、Polarisは5コアに強化されたことで、書き込み処理のさらなる分散が可能になり、ランダムライト性能の向上に貢献している。960 EVOの容量ラインナップは、250GB、500GB、1TBの3モデルだ。
960 EVOは、SATA 3.0に対応した850 EVOの後継だが、PCI Express/NVMe対応になって性能が大きく向上している。シーケンシャルリードは全モデル共通で、最大3,200MB/秒。ちなみに、850 EVOのシーケンシャルリードは最大540MB/秒なので、スペック上は約6倍に高速化された。昨年(2015年)登場したNVMe対応のハイエンドモデル、950 PROのシーケンシャルリードは最大2,500MB/秒なので、950 PROよりも上回っていることになる。960 EVOのシーケンシャルライトは、250GBモデルが最大1,500MB/秒、500GBモデルが最大1,800MB/秒、1TBモデルが最大1,900MB/秒であり、こちらも850 EVOの最大520MB/秒に比べて、約3~4倍に高速化されている。
ランダムアクセス性能も非常に高い。250GBモデルと500GBモデルの4KBランダムリード(QD32)は最大33万IOPS、1TBモデルの4KBランダムリード(QD32)は最大38万IOPSだ。250GBモデルの4KBランダムライト(QD32)は最大30万IOPS、500GBモデルの4KBランダムライト(QD32)は最大33万IOPS、1TBモデルの4KBランダムライト(QD32)は最大36万IOPSとなっている。850 EVOの場合、最も高速な2TB/1TBモデルでも4KBランダムリード(QD32)は最大9万8000IOPS、4KBランダムライト(QD32)は最大9万IOPSであり、ランダムアクセス性能も約3~4倍に向上している。
書き込み可能容量(TBW)は、250GBモデルが100TBW、500GBモデルが200TBW、1TBモデルが400TBWだ。850 EVOは、250GBモデルが75TBW、500GB/1TBモデルが150TBWだったので、こちらも1.3~2.7倍に増加しており、耐久性・信頼性もさらに高くなったといえる。
■Samsung 960 PRO | |||
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512GBモデル | 1TBモデル | 2TBモデル | |
キャッシュメモリ(LPDDR3) | 512MB | 1GB | 2GB |
シーケンシャルリード | 3,500MB/秒 | ||
シーケンシャルライト | 2,100MB/秒 | ||
ランダムリード(4KB・QD32) | 33万IOPS | 44万IOPS | 44万IOPS |
ランダムライト(4KB・QD32) | 33万IOPS | 36万IOPS | 36万IOPS |
ランダムリード(4KB・QD1) | 14,000 IOPS | ||
ランダムライト(4KB・QD1) | 50,000 IOPS | ||
TBW(Total Byte Written) | 400TB | 800TB | 1,200TB |
保証 | 5年、またはTBWの範囲内 | ||
※シーケンシャルアクセスとランダムアクセスは最大値 |
■Samsung 960 EVO | |||
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250GBモデル | 500GBモデル | 1TBモデル | |
キャッシュメモリ(LPDDR3) | 512MB | 512MB | 1GB |
シーケンシャルリード | 3,200MB/秒 | ||
シーケンシャルライト | 1,500MB/秒 | 1,800MB/秒 | 1,900MB/秒 |
ランダムリード(4KB・QD32) | 33万IOPS | 33万IOPS | 38万IOPS |
ランダムライト(4KB・QD32) | 30万IOPS | 33万IOPS | 36万IOPS |
ランダムリード(4KB・QD1) | 14,000 IOPS | ||
ランダムライト(4KB・QD1) | 50,000 IOPS | ||
TBW(Total Byte Written) | 100TB | 200TB | 400TB |
保証 | 3年、またはTBWの範囲内 | ||
※シーケンシャルアクセスとランダムアクセスは最大値 |