韓国サムスン・エレクトロニクスから、コンシューマー向けSSD製品の新モデル「Samsung 960 PRO」「Samsung 960 EVO」が発表された。概要は既報『Samsung、M.2・PCIe3.0 x4・NVMeの最新SSD「960 PRO」「960 EVO」発表』でお伝えしているが、詳細と合わせて、9月21日に韓国・ソウルで開催された発表会「Samsung SSD Global Summit 2016」の模様をお届けしたい。

展示スペース

会場はソウル新羅ホテル

2つの製品で、960 PROはプロフェッショナルユーザーやゲーマー向け、960 EVOはメインストリーム向けの位置付けだ。どちらも第三世代のSamsung V-NANDフラッシュメモリを採用している。960 PROは2bit MLC、950 EVOは3bit MLCだ。V-NANDは3次元構造のNANDフラッシュメモリで、第3世代はメモリセルを垂直方向に48層を積み上げて、1チップ(ダイ)あたり256Gbitの容量を実現している。余談だが、65層を重ねた第4世代V-NANDチップも、2016年内のリリースが目標とのことだ。

960 PRO

960 EVO

960 PROと960 EVOとも、フォームファクタはM.2、接続インタフェースはPCI Express 3.0 x4、プロトコルはNVMe 1.2だ。2016年10月から出荷を開始する。容量のラインナップと北米における価格は、960 PROの512GBが329ドル、1TBが629ドル、2TBが1,299ドル。960 EVOは、250GBが129ドル、500GBが249ドル、1TBが479ドルだ。日本での発売時期と価格は未定だが、遠からず明らかになるだろう。パフォーマンスを含む主な仕様は下表の通り。

■Samsung 960 PRO
512GBモデル 1TBモデル 2TBモデル
キャッシュメモリ(LPDDR3) 512MB 1GB 2GB
シーケンシャルリード 3,500MB/秒
シーケンシャルライト 2,100MB/秒
ランダムリード(4KB・QD32) 33万IOPS 44万IOPS 44万IOPS
ランダムライト(4KB・QD32) 33万IOPS 36万IOPS 36万IOPS
ランダムリード(4KB・QD1) 14,000 IOPS
ランダムライト(4KB・QD1) 50,000 IOPS
TBW(Total Byte Written) 400TB 800TB 1,200TB
保証 5年、またはTBWの範囲内
※シーケンシャルアクセスとランダムアクセスは最大値
■Samsung 960 EVO
250GBモデル 500GBモデル 1TBモデル
キャッシュメモリ(LPDDR3) 512MB 512MB 1GB
シーケンシャルリード 3,200MB/秒
シーケンシャルライト 1,500MB/秒 1,800MB/秒 1,900MB/秒
ランダムリード(4KB・QD32) 33万IOPS 33万IOPS 38万IOPS
ランダムライト(4KB・QD32) 30万IOPS 33万IOPS 36万IOPS
ランダムリード(4KB・QD1) 14,000 IOPS
ランダムライト(4KB・QD1) 50,000 IOPS
TBW(Total Byte Written) 100TB 200TB 400TB
保証 3年、またはTBWの範囲内
※シーケンシャルアクセスとランダムアクセスは最大値