米サンディスクは21日(現地時間)、10nm中盤の1Y nmプロセス技術に基づくフラッシュメモリ製品のサンプル出荷を開始したことを発表した。

1Y nmプロセスは、19nmプロセスの第2世代となる技術。これにより、メモリセルのサイズを19nm×26nmから19nm×19.5nmへと25%縮小したという。パフォーマンスや信頼性に優れたMLC型NANDフラッシュメモリのほか、3bit/セルで低コストなフラッシュソリューションを提供し、拡大を続けるさまざまなフラッシュメモリ・エンドマーケットに対応するとしている。