エルピーダメモリは21日、製造に最先端の30nmプロセスを採用し、モジュールあたり16チップで4Gバイトの大容量を実現するDDR3 SO-DIMMのサンプル出荷を開始したと発表した。量産開始は2011年1～3月期を予定する。

30nmプロセス採用4GバイトDDR3 SO-DIMM

バッテリ駆動時間の向上が求められるノートPCやネットブック、タブレットPCに最適な省電力、大容量のSO-DIMMモジュール(204ピン SO-DIMM)。2GビットDDR3 SDRAMを16チップ搭載し、4Gバイト容量を実現。同社40nm採用DRAMモジュール比で、動作時電流を20%、待機時電流を30%削減している。データ転送速度は最大1866Mbps。電源電圧は1.5V±0.075V。

製造のコスト面では、40nmから30nmへの移行にあたり、製造プロセスの変更を最少にすることで新たな投資を抑制しコスト低減を図った。30nmの最先端微細加工技術を用いた効果で、製品は性能面のみならずコスト競争力も非常に高いとされている。