東芝とサンディスクは、2014年9月9日、NAND型フラッシュメモリの生産を行う東芝四日市工場第5製造棟第2期分の竣工式と、新たな第2製造棟の起工式を行った。15nmプロセス世代のNANDフラッシュや3次元NANDフラッシュの生産を行う予定。

第5製造棟の外観

テープカット

第5製造棟の第2期分は、2013年8月から東芝が建屋建設を進め、2014年7月から、東芝とサンディスクの両社が生産設備の導入を開始。9月から15nmプロセスを採用したメモリの量産を開始しており、9月末から順次出荷を開始することになる。

第5製造棟は、今回の第2期分を含み、鉄骨2層5階建で、建屋面積は3万8000平方メートル。第1期分は、2010年7月に着工し、2011年7月に竣工していた。両社では、今後の市場動向に応じて追加投資を行い、生産能力を拡充する計画だ。

一方、新第2製造棟は、三次元構造のNAND型フラッシュメモリ(3Dメモリ)の専用設備の設置を目的に、拡張スペースを確保するのが狙い。新第2製造棟は、鉄骨2層5階建で、建屋面積は2万7300平方メートル。2015年夏に一部が竣工し、2016年前半には全体が竣工する予定。竣工した建屋に対して、東芝およびサンディスクの両社が生産設備を順次導入する。

具体的な設備導入や生産開始時期、生産能力、生産計画などについては、今後の市場動向を踏まえて決定していくことになる。NAND型フラッシュメモリは、スマートフォンやタブレット、 エンタープライズサーバー向けSSDなどを中心に需要拡大が見込まれており、中長期的にも市場成長が予想されている。今回の生産体制の増強は、こうした市場環境を視野に入れたものになる。

9日午前10時30分から行われた神事には、東芝の田中久雄社長、サンディスクのサンジェイ・メロートラCEO、東芝 セミコンダクター&ストレージ社社長の成毛康雄氏をはじめとする両社関係者のほか、在日米国大使館 経済・科学担当公使のジェシカ・ウェブスター氏、四日市市の田中俊行市長なども出席。さらに竣工セレモニーでは、関係者14人によるテープカットが行われた。

神事の様子