米Intelと米Micron Technologyは8月11日(現地時間)、34nmプロセス技術および多値セル(MLC: Multi Level Cell)技術を採用した最新の3ビット/セルNAND技術を開発したと発表した。フラッシュメモリなど、集積度の高さとコスト効率が最重要視されるコンシューマ向け記録媒体に利用される予定。すでにMicronがサンプル出荷を開始しており、2009年第4四半期に量産へと移る計画だ。

両社の合弁会社であるIM Flash Technologiesによって設計、製造されたもの。3ビット/セル技術への移行により、「最もコスト効率に優れた32ギガ・ビット製品を製造することができる」としている。同技術を採用した32ギガ・ビットNANDチップのダイサイズは126平方ミリ。昨年5月に発表した34nm 32ギガ・ビットのMLC NAND製品(2bps)は172平方ミリだった。