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100Tビット級の高密度メモリに期待-東工大、単分子レベルで分子配向を制御

東京工業大学(東工大)は9月13日、フラーレンの一部を切り出したようなお椀型をした分子形状を持つ「スマネン」を用いて、単分子レベルで分子配向を自在に制御することに成功したと発表した。

[17:57 9/13]

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産総研、半導体酸化Gaをトンネル障壁層とした全単結晶TMR素子を開発

産業技術総合研究所(産総研)は9月20日、独自に開発した単結晶酸化ガリウムの成膜プロセスを用いて、半導体Ga2O3をトンネル障壁層とした単結晶だけからなるトンネル磁気抵抗(TMR)素子を開発したと発表した。

[11:59 9/21]

JAEAなど、グラフェンのゲルマニウム版「ゲルマネン」の原子配置を解明

日本原子力研究開発機構(JAEA)、東京大学(東大)、高エネルギー加速器研究機構(KEK)は9月13日、全反射高速陽電子回折(TRHEPD)法を用いて、グラフェンのゲルマニウム版「ゲルマネン」の原子配置の解明に成功したと発表した。

[17:27 9/13]

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どうなる? 次世代の半導体プロセス技術 第4回 10nm以降の超微細化における問題点と注目すべき点

IC Knowledgeの視点でとらえた10nm以降の技術ノードでの問題点や注目すべき点はいくつかある。中でも商用ノード5nmのロジックプロセスでは、新トランジスタ構造、そしてEUVの採用と、製造リスクが格段に跳ね上がることとなる。

[08:00 9/13]

どうなる? 次世代の半導体プロセス技術 第3回 各社の先端技術ノードはどう比較すれば良いのか?

ITRSが技術ノードを定義することを辞めた後、各社の微細化の程度は、どのように比較すれば良いのか。ASMLが定義している標準ノードをもとにIC Knowledgeが計算してみた。

[08:00 9/6]

NECと東大、脳の構造をモデル化した次世代AI向け脳型LSIの開発に着手

NECと東京大学は9月2日、都内で記者会見を開き、日本の競争力強化に向け戦略的パートナーシップに基づく総合的な産学協創を本格的に開始すると発表した。産学協創の第1弾の活動として社会への影響力が大きい分野であるAI(人工知能)分野に焦点を定め「NEC・東京大学フューチャーAI研究・教育戦略パートナーシップ協定」を締結し、具体的な活動を開始する。

[13:35 9/5]

どうなる? 次世代の半導体プロセス技術 第2回 存在意義を失ったITRSロードマップ

「SEMICON West 2016」の併催講演会としてIC Knowledgeが次世代の半導体技術について講演を行った。今回の連載では、この講演内容を踏まえて、半導体技術の最新事情を読み解いてみたい。

[07:00 8/30]

どうなる? 次世代の半導体プロセス技術 第1回 次世代メモリの最有力候補はどんな技術なのか?

既存の、高速だが不揮発性ではないDRAMや不揮発性だが低速のNAND型フラッシュメモリに代わる次世代高速不揮発性メモリとしてさまざまな技術が研究されている。DRAMの微細化が困難になってきた状況を踏まえ、メモリ技術はどういった方向に進むのだろうか。

[19:35 8/26]

従来比50%超の消費エネルギー削減を果たしたAES暗号処理回路を開発-東北大

東北大学およびNECは8月22日、「ガロア体」と呼ばれる特殊な数体系に基づく演算圧縮手法を発見し、それを用いて、消費エネルギーを従来比で50%以上削減した高効率のAES暗号処理回路を開発したと発表した。

[19:36 8/22]

量子コンピュータへの活用にも期待 - ビスマス層状酸化物の超伝導物質

東北大学、東京大学、東京工業大学などによる研究グループは8月22日、これまで超伝導を示さないと考えられていたビスマス層状酸化物の超伝導体を発見したと発表した。

[17:12 8/22]

東北大など、マンガン系合金ナノ薄膜を用いたトンネル磁気抵抗素子を開発

東北大学などは7月27日、垂直磁化マンガン系合金ナノ薄膜を用いたトンネル磁気抵抗(TMR)素子の開発に成功したと発表した。

[17:21 7/27]

理研、トポロジカル絶縁体表面で新しい電流-スピン流変換現象の観測に成功

理化学研究所(理研)は7月26日、トポロジカル絶縁体の表面を用いた新しい電流-スピン流変換現象の実験的観測および定量的評価に成功したことを発表した。

[10:16 7/26]

理研など、光照射だけでスピン偏極電流が発生するトポロジカル絶縁体を発見

理化学研究所(理研)は7月20日、トポロジカル絶縁体の薄膜にパルス光を照射することで、外部電場を加えなくても大きなスピン偏極光電流が発生し、それを外部磁場で制御できることを発見したと発表した。

[13:41 7/22]

阪大と昭和電工、300℃の高温域で安定動作するSiCパワー半導体を実現

昭和電工は7月19日、同社が参画する大阪大学 菅沼克昭教授のプロジェクトにおいて、SiCパワー半導体が300℃の高温域において安定的に動作する基板構造を開発したと発表した。

[16:49 7/19]

東大、GaAs半導体に添加したMnの濃度増加で物理学の常識と異なる現象を発見

東京大学(東大)は6月29日、磁性をもつ原子を半導体中に加えて強磁性にすることにより、伝搬する電子の散乱が抑えられ秩序が回復する特異な現象を観測したと発表した。

[08:00 6/30]

imec、将来を見据えた横型および縦型GAAナノワイヤFETを発表 - VLSIシンポジウム 2016

「2016 Symposia on VLSI Technology and Circuits(VLSIシンポジウム 2016)」が、「スマート社会への変革の予兆」をメインテーマに、2016年6月13~17日に米国ハワイ州ホノルルで開催された。その中で、imecが8nm Siナノワイヤを用いたGAA MOSFETの発表を行った。

[10:36 6/27]

赤く光る新しい窒化物半導体を計算で予測し、高圧合成実験で発見 - 東工大

東京工業大学(東工大)は6月21日、マテリアルズ・インフォマティクスと実験の連携により、希少元素を使わずに赤く光る新窒化物半導体を発見したと発表した。

[08:30 6/22]

アジレント、トリプル四重極ICP-MSの新製品 - 感度2倍、ナノ粒子にも対応

アジレント・テクノロジー(アジレント)は6月14日、トリプル四重極ICP-MS(誘導結合プラズマ質量分析計)の新モデル「Agilent 8900」を販売開始したと発表した。

[16:35 6/14]

東北大、20年間不明であった磁性半導体(Ga,Mn)Asの強磁性発現機構を解明

東北大学は6月7日、物質の発見から20年間不明であった磁性半導体(Ga,Mn)Asの強磁性発現機構の解明に成功したと発表した。

[11:56 6/7]

NEC、CPUとFPGA間の高速通信を実現するデータ通信方式を開発

日本電気(NEC)は6月2日、CPUと書き換え可能な専用LSIのFPGAを広帯域な伝送路でつないだプロセッサ(密結合プロセッサ)において、CPUとFPGA間の高速通信を実現する「異デバイス共通通信方式」を開発したと発表した。

[07:00 6/3]

カーボンナノチューブ上に10nm幅の超伝導ナノワイヤーを実現 - 慶大など

慶應義塾大学(慶大)は6月1日、カーボンナノチューブをテンプレートとして、世界最小クラスの超極細超伝導ナノワイヤーを実現したと発表した。

[13:01 6/2]

旭硝子、「C12A7エレクトライド」のスパッタリングターゲット材を量産開始

AGC旭硝子(旭硝子)は5月26日、東京工業大学の細野秀雄教授らの研究グループが開発した「C12A7エレクトライド」を用いた均一な非晶質薄膜を開発し、量産に必要なスパッタリングターゲット材の工業化と商業生産を開始したと発表した。

[15:19 5/26]

imec、シリコン半導体技術を適用した量子コンピュータの研究開発に着手

imecは5月17日(欧州時間)、オランダ国アムステルダムでのQuantum Europe Conference(欧州量子会議)開幕にあわせて、量子コンピュ―ティングに焦点を当てた研究開発を開始すると発表した。

[09:00 5/19]

英IQEとimec、高耐圧GaN-on-Siパワーダイオードの開発で協業

英IQEは5月16日(英国時間)、ベルギーの独立系半導体研究機関であるimecとGaN-on-Si技術に関して戦略的協業契約を結んだと発表した。

[08:00 5/19]

東北大など、アモルファスSiOの構造解明 - 5種類のSiの原子環境が存在

東北大学(東北大)は5月16日、アモルファス一酸化シリコン(SiO)の構造解明に成功したと発表した。

[10:44 5/17]

COOL Chips XIX - 究極の低電力を目指すPULPプロセサ 第3回 PULPプロセサを補完する研究開発も進展

PULPは大きな広がりをもったプロジェクトで、PULPプロセサを補完する各種のチップが開発されている。その1つが、ニューラルネットワークの処理のアクセラレータの「Origami」である。

[09:00 5/11]

東工大、しきい値電圧の低い有機トランジスタとして機能する化合物の合成法

東京工業大学(東工大)は5月10日、しきい値電圧の低い有機トランジスタとして機能する複素環化合物を安定的に合成する手法を開発したと発表した。

[14:35 5/10]

COOL Chips XIX - 究極の低電力を目指すPULPプロセサ 第2回 低消費電力化のためにUTBB FD-SOI技術を活用

電源電圧を下げた場合に問題となるのは、トランジスタの製造バラつきである。そこでPULPが取り入れたのがUTBB FD-SOIという半導体製造技術である。

[10:00 5/10]

COOL Chips XIX - 究極の低電力を目指すPULPプロセサ 第1回 欧州が推進するIoT時代の超低電力化プロセサの研究

2016年のCOOL ChipsではETH Zurich兼ボローニャ大のLuca Benini教授が来日し、IoT時代に必要とされる超低消費電力化の研究プロジェクト「PULP」について、「Sub-pJ-Scalable Computing」と題する基調講演と最新の研究成果を披露した。

[13:47 5/9]

東北大など、高速/低消費電力な次世代デバイスを実現する新物質を発見

東北大学は、3次元的なディラック電子を有する質量ゼロの粒子「ワイル粒子」を物質内に内包したトポロジカル物質「ワイル半金属」を発見したと発表した。

[16:59 4/27]

東工大など、二次元材料「二硫化ハフニウム」を用いたトランジスタを開発

東京工業大学(東工大)は4月25日、新しい二次元材料である二硫化ハフニウム(HfS2)を用いたMOSトランジスタを開発したと発表した。

[18:47 4/25]

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