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東北大、イオンの出入りで磁性状態を制御できる電磁石を開発

東北大学は1月13日、金属錯体からなる分子性格子材料へのイオンと電子の出入りを制御することで、磁性状態のON-OFFスイッチが可能な新たな電磁石「イオン制御型電磁石」を開発したと発表した。

[20:51 1/13]

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産総研、100nAで動作するReRAMの挙動を解明

産業技術総合研究所(産総研)は1月13日、幅広い電流レンジでノイズを計測する手法を開発し、不揮発性メモリとして研究開発が進められている抵抗変化メモリ(ReRAM)が100nAの消費電力で動作する際の挙動について明らかにしたと発表した。

[19:59 1/13]

ダイヤモンドを使って直径原子3個分の極細ナノワイヤを作製 - SLAC

SLAC国立加速器研究所とスタンフォード大学の研究チームは、ダイヤモンドを利用して直径が原子3個分という極細のナノワイヤを作製する方法を開発した。さまざまな種類の原子を材料とするナノワイヤを簡易な方法で作製することができる。論文は材料科学専門誌「Nature Materials」に掲載された。

[16:26 1/13]

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SC16 - Exascale以降のデバイスの研究状況

CMOSデバイスの微細化は限界に近づきつつあるが、デバイスの研究者は、より高性能のデバイスを作ることを諦めたわけではない。SC16において、コロンビア大学のナノ・イニシアティブのディレクタであるThomas N.Theis教授が、Beyond Exacaleの時代の新デバイスの研究開発状況について講演を行った。

[07:00 12/20]

東北大、スピントロニクス素子を使った人工知能の基本動作の実証に成功

東北大学は12月19日、磁石材料から構成されるミクロなスピントロニクス素子を使った人工知能の基本動作の実証に成功したと発表した。

[17:28 12/19]

MIT、CNTスタンプを使ったナノスケール印刷技術を開発

マサチューセッツ工科大学(MIT)の研究チームは、カーボンナノチューブ(CNT)でできたスタンプと導電性インクを用いて、基板表面に微細なパターンを高速で印刷する技術を開発した。ガラスやフレキシブルシートなどの表面にCNTスタンプを押し付けてパターンを転写するだけで電子デバイスとして機能させることができる。タッチパネルや高解像度ディスプレイの画素制御などに使われる微細なトランジスタも、スタンプ処理によって形成できるようになるという。低コスト化も期待できる。研究成果は、Science系列のオープンアクセス誌「Science Advances」で報告された。

[11:08 12/16]

imec、縦型GAA SiナノワイヤCMOSトランジスタを開発

ベルギーimecは、米国カリフォルニア州サンフランシスコで開催されたIEDM 2016において、ゲートオールアラウンド・シリコンナノワイヤMOSFETを垂直に積層したCMOSトランジスタを発表した。

[10:00 12/14]

新しい二次元半導体セレン化インジウムを開発 - マンチェスター大など

マンチェスター大学とノッティンガム大学の研究チームは、グラフェンに似た結晶構造を持つ新しい二次元薄膜材料セレン化インジウム(InSe)を開発した。二次元のInSeはシリコンを上回る電子移動度を持つ半導体であり、次世代の高速トランジスタなどの材料として有望視されている。研究論文はナノテク専門学術誌「Nature Nanotechnology」に掲載された。

[12:14 12/2]

【特別企画】若手来場者へ特典が!? 半導体展示会「SEMICON Japan 2016」

今年で40周年を迎える、世界最大級の半導体製造・材料の総合展示会SEMICON Japan 2016。12月14~16日の3日間にわたり、昨年と同様に東京ビッグサイトにて開催される。「半導体業界の未来のためにも、将来を担う若手の方々に多く来場していただきたい」と語るのはSEMIジャパン代表の中村修氏である。本稿では、中でも若手向けに開催される催しについて紹介しよう。

[10:06 12/1]

大阪府立大、印刷で作製できる絆創膏型のウェアラブルデバイスを開発

大阪府立大学は11月24日、印刷で作製できる柔らかい添付型のウェアラブルデバイスのプロトタイプを開発したと発表した。

[14:48 11/24]

東大など、半金属ビスマス自体がトポロジカル物質であることを解明

東京大学(東大)は11月21日、半金属ビスマスがトポロジカル物質であることを解明したと発表した。

[12:48 11/22]

【特別企画】未来にCONNECT! 「SEMICON Japan 2016」開催

2016年12月14~16日 東京ビッグサイトにて開催される半導体製造・材料の総合展示会 SEMICON Japan 2016。SEMI ジャパン代表の中村修氏に、半導体業界の現状と今年の見所について紹介頂いた。

[10:17 11/21]

半導体を使わない電子デバイス、メタマテリアルで作製 - UCSD

カリフォルニア大学サンディエゴ校(UCSD)の研究チームは、メタマテリアルを利用することで、半導体を使用しないマイクロ電子デバイスを作製することに成功した。メタマテリアルで構成されたデバイスに光を照射することで電気伝導度が1000%増加することを示した。研究成果は学術論文誌「Nature Communications」に発表された。

[16:43 11/15]

名大、負の熱膨張率を利用して炭素原子バッファ層のグラフェン化に成功

名古屋大学(名大)は11月9日、グラフェンの負の熱膨張率を利用して、炭素原子バッファ層を900℃から-196℃に急冷することによるグラフェン化に成功したと発表した。

[12:47 11/11]

日本ゼオン、SGCNTとゴム複合の高性能シート系熱界面材料の量産を開始

新エネルギー・産業技術総合開発機構(NEDO)は11月10日、日本ゼオンがスーパーグロース法を用いたカーボンナノチューブ(SGCNT)とゴムを複合した高性能なシート系熱界面材料(TIM)の開発に成功したと発表した。

[06:00 11/11]

東北大など、原子配置の制御によって原子層金属/半導体の作り分けに成功

東北大学などは11月7日、原子配置制御によって原子層金属/半導体の作り分けに成功したと発表した。

[15:10 11/8]

極小のメモリスタ論理回路を設計、ナノコンピュータの実現目指す - UCSB

カリフォルニア大学サンタバーバラ校(UCSB)の研究チームは、ファインマンの残した「直径が原子10~100個分の配線を使い、1000オングストローム程度の大きさに収まる回路からなる微小なコンピュータ」という課題の実現をめざし、新構造のデバイスを設計した。その構造は、不揮発性メモリの一種である「メモリスタ」に論理回路としての機能も統合し、3次元構造化するというもの。通常のコンピュータでは分離されているデータ処理機能と記憶機能を同時に1カ所で行えるようにすることで、高速で微小なコンピュータが可能になるという。

[15:50 11/4]

電源なしで数年間駆動する、IoT向け超低電力トランジスタ - ケンブリッジ大

ケンブリッジ大学の研究チームは、半導体-金属界面のショットキー障壁を利用した新原理の超低電力薄膜トランジスタを開発した。電池・電源を用意しなくても、環境中の熱や振動などを変換して得られるごくわずかな電力によって、トランジスタを数カ月から数年といった長期間駆動できるようになるという。IoTやウェアラブルデバイスなどの用途に広く利用できる可能性がある。研究成果は科学誌「Science」に掲載された。

[11:23 10/28]

バークレー研究所、ゲート長1nmの世界最小トランジスタを作製

ローレンス・バークレー国立研究所らの研究チームは、ゲート長1nmのトランジスタを作製し、デバイス動作を実証したと発表した。これまで報告された中では最小のトランジスタとなる。

[09:40 10/21]

NEDO、新規ランガサイト型単結晶を用いた振動子を開発

新エネルギー・産業技術総合開発機構(NEDO)は10月19日、NEDO「戦略的省エネルギー技術革新プログラム」において、新規ランガサイト型単結晶を用いた振動子を開発し、結晶育成からデバイス製造までの新たな製造プロセスを確立したと発表した。

[16:50 10/19]

二硫化モリブデンへの電子線照射でバンドギャップをコントロール - 千葉大

千葉大学は10月17日、原子層物質の一種である二硫化モリブデンに、走査電子顕微鏡で電子線を照射するだけで、半導体として重要なバンドギャップが大きくなる現象を発見したと発表した。

[11:04 10/18]

東北大など、3次元構造グラフェンによる電気2重層トランジスタの動作を確認

東北大学は10月12日、3次元ナノ多孔質グラフェンを用いたグラフェントランジスタの3次元集積化に成功したと発表した。

[10:00 10/13]

千葉工大など、600℃超で動作可能な不揮発性メモリ素子を開発

千葉工業大学(千葉工大)は10月11日、白金ナノギャップ構造を利用し600℃でも動作する不揮発性メモリ素子を開発したと発表した。

[15:53 10/12]

銅を酸化するだけでレアメタルスピントロニクス材料を上回る効率に - 慶大

慶應義塾大学(慶大)は10月11日、金属の酸化というアプローチによってスピントロニクスデバイスの性能を向上させることに成功したと発表した。

[14:13 10/12]

IBMの半導体研究モデルは、何が他社と違うのか? 第3回 50年先を見据えるIBMの半導体研究グループ

IBMという企業は全体として、システムの設計からウェハ・プロセスの研究まで一貫した半導体の研究開発を行っている。では、他のファブレスやIT企業はどうだろうか。

[10:00 10/7]

IBMの半導体研究モデルは、何が他社と違うのか? 第2回 IBMモデルはファブレスともコンソーシアムともちがう

IBMは現在、GFと韓国Samsung Electronicsを研究パートナーとして先端半導体プロセス・デバイス研究を行っている。同社は、2015年7月に、これらパートナー2社と協力して300mmを用いて世界で初めて7nmプロセスを用いたテストチップの試作に成功している

[09:00 10/6]

IBMの半導体研究モデルは、何が他社と違うのか? 第1回 VLSI ResearchのCEOが見たIBMの半導体研究の現在

米IBMは、2014年10月に自社の半導体事業部門を譲渡したが、半導体研究部門だけは自社内に残して、そこに30億ドルも投資することを明らかにしている。製造部門無きIBMの半導体研究部門はどんなビジネスモデルで運営されているのか、IBM半導体研究グループ独自の研究モデルを紹介しよう。

[11:00 10/5]

Hot Chips 28 - InVisageの量子ドットを用いたイメージセンサ

Hot Chips 28において、InVisageという会社が、量子ドットを使うイメージセンサを発表した。量子ドットを使うことにより、近赤外光に対する感度が上がり、ダイナミックレンジも改善されるという。

[11:00 9/30]

電磁材料研など、室温で透明な強磁性体の作製に成功

電磁材料研究所、東北大学、日本原子力研究開発機構(JAEA)は9月28日、透明強磁性体の開発に成功したと発表した。

[12:45 9/29]

産総研、半導体酸化Gaをトンネル障壁層とした全単結晶TMR素子を開発

産業技術総合研究所(産総研)は9月20日、独自に開発した単結晶酸化ガリウムの成膜プロセスを用いて、半導体Ga2O3をトンネル障壁層とした単結晶だけからなるトンネル磁気抵抗(TMR)素子を開発したと発表した。

[11:59 9/21]

100Tビット級の高密度メモリに期待-東工大、単分子レベルで分子配向を制御

東京工業大学(東工大)は9月13日、フラーレンの一部を切り出したようなお椀型をした分子形状を持つ「スマネン」を用いて、単分子レベルで分子配向を自在に制御することに成功したと発表した。

[17:57 9/13]

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