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東北大など、直径5nmの3次元InGaN/GaN量子ドット作製に成功

東北大学などは6月23日、直径5nmの3次元窒化インジウムガリウム/窒化ガリウム(InGaN/GaN)量子ドットを作製することに成功したと発表した。

[18:17 6/23]

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CNT素子内への有機分子導入で分子種ごとに特性周波数をもつ雑音が発生

大阪大学(阪大)と北海道大学(北大)は6月22日、カーボンナノチューブ素子内に有機分子を導入し素子雑音を発生させることで、分子種ごとに特性周波数をもつ雑音が発生することを発見したと発表した。

[18:16 6/23]

電子スピンのふらつきと電子軌道の結びつきが明らかに - 東大

東京大学(東大)などは6月19日、マンガンとバナジウムの複合酸化物における電子スピンのふらつきを測定し、これが電子軌道の変化と結びついていることを明らかにしたと発表した。

[15:27 6/21]

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名大、新たな二元系の強磁性窒化鉄と強磁性窒化コバルトを発見

名古屋大学(名大)は6月19日、新しい二元系の強磁性窒化鉄と強磁性窒化コバルトを発見したと発表した。

[15:25 6/21]

東芝、スピントロニクス技術を応用した超高感度ひずみ検知素子技術を開発

東芝は、IoT社会で用いられているMEMSセンサ向けに、従来の金属ひずみゲージの2500倍、半導体ひずみゲージの100倍以上の超高感度スピン型ひずみ検知素子を開発したことを発表した。また、世界で初めてスピン型ひずみ検知素子を搭載したスピン型MEMSマイクロフォンを開発し、人の耳では聞こえない超音波まで検出できることを実証した。

[13:25 6/21]

東大、金属を絶縁体に変える微小垂直磁化を発見

東京大学(東大)は6月13日、磁性体に生じる磁化が、磁場と垂直方向に微小に生じていることを検出したと発表した。

[15:08 6/15]

東芝マテリアルと京セラ 窒化物セラミック部品の開発・製造の協業で合意

東芝マテリアルと京セラは2017年6月7日、窒化物セラミック部品の開発・製造に関する本格的な協業開始に合意したと発表した。これにより両社は、設備投資の共同実施、ワーキングチームの編成によって、開発・製品化を加速するとともに、シナジーによるさらなる協業の可能性を検討していく。

[12:19 6/8]

Ge単結晶を10nm以下に超薄膜化することで電子移動度が飛躍的に向上 - 産総研

産業技術総合研究所(産総研)は6月5日、ゲルマニウム(Ge)の膜厚10nm以下の均一な超薄膜構造の作製法を開発したと発表した。このナノメートルレベルの均一なGe超薄膜を絶縁膜で挟むと、Ge超薄膜中の電子移動度が著しく向上することも明らかになっている

[18:45 6/7]

IBMら、シリコンナノシート・トランジスタを用いた5nmデバイスの試作に成功

IBMは6月5日(米国時間)、研究協業のパートナーである米GLOBALFOUNDRIES(GF)、Samsung Electronicsおよび製造装置メーカーらとともに、5nmプロセスを実現するシリコンナノシート・トランジスタを採用したLSI製造向けシリコンウェハの製造に成功したと発表した。

[15:13 6/6]

MIFSと広島大学、超低消費電力CMOS増幅器を開発-VDD=0.5Vで動作

三重富士通セミコンダクターは、80~106GHzの広帯域に渡って動作する超低消費電力CMOS増幅器を開発したと発表した。

[09:25 6/6]

ソニー、業界最小画素の距離画像センサーを開発

ソニーは、業界最小となる10マイクロメートル角画素の裏面照射型Time of Fligh方式距離画像センサーを開発した。これは、2015年に買収したソフトキネティックシステムズのToF方式距離画像センサー技術とソニーの持つ裏面照射型CMOSイメージセンサーの技術を融合し実現したもの。従来より1.5倍の距離でも従来と同等の精度を実現するという。

[19:13 6/5]

NIMS、2種のMOSFETを組み合わせたダイヤモンド論理回路チップを開発

物質・材料研究機構(NIMS)は5月31日、過酷環境下に強いダイヤモンド集積回路を開発するための第一歩として、2種類の動作モードを持つ金属-酸化物-半導体(MOS)電界効果トランジスタ(FET)を組み合わせたダイヤモンド論理回路チップの開発に成功したと発表した。

[17:54 5/31]

ルネサス、USB給電の安全性を高める機器間認証に対応したコントローラLSI

ルネサス エレクトロニクスは、ACアダプタ、PC、スマートフォン、その他民生・OA機器や玩具など、直流電力を使用する幅広い機器に向けて、新たにUSBコントローラLSI「R9J02G012」を開発したことを発表した。6月よりサンプル出荷を開始する予定となっている。

[17:08 5/30]

電通大、ビスマスで磁場による100%バレー分極状態を実現

電気通信大学(電通大)は5月19日、強磁場におけるビスマスの電気伝導度が従来予測を裏切り、急激に上昇することを発見したと発表した。この上昇の起源は完全バレー分極であり、理論解析により100%バレー分極状態を達成したことが証明されている。

[15:49 5/29]

NEDO、計算科学や人工知能を活用したナノカーボン材料の研究開発に着手

新エネルギー・産業技術総合開発機構(NEDO)は、試作などに時間がかかる材料開発のスピードアップを目指し、計算科学や人工知能を活用した材料開発手法の構築を進めていることに関して、新たに事業者(古河電気工業、日本ゼオン)の追加採択を行い、ナノカーボン材料についての研究開発に着手すると発表した。

[12:30 5/29]

京大、高次高調波発生をグラフェンで実現 - 照射した赤外光が可視光に変わる

京都大学(京大)は5月22日、グラフェンに赤外パルス光を照射すると、波長が1/5、1/7、1/9の可視パルス光が生成されることを発見したと発表した。これは「高次高調波発生」と呼ばれる現象であり、グラフェンで実現したのは世界初だという。

[17:34 5/22]

分子イオンの量子状態制御に成功、量子コンピュータなどに応用へ - NIST

米国立標準技術研究所(NIST)は、分子イオンの量子状態を制御する実験に成功したと発表した。イオントラップとレーザー冷却を用いた原子イオンの量子状態制御はこれまでにも行われてきたが、これらの技術を用いて分子レベルでの制御を実現したのは今回がはじめてという。

[11:40 5/22]

東大×JST、熱を亜固体中で特定の方向に流し、一点に集めることに成功

東京大学と科学技術振興機構(JST)は、東京大学 生産技術研究所附属マイクロナノ学際研究センターの野村政宏准教授、ロマン・アヌフリエフ氏(東京大学特別研究員・日本学術振興会外国人特別研究員)らの研究グループが、シリコン薄膜にナノ構造を形成することで熱流に指向性を与え、集熱に成功したことを発表した。

[11:15 5/22]

産総研、次世代不揮発性メモリMRAMの3次元積層プロセス技術を開発

産業技術総合研究所(産総研)などは5月16日、次世代の不揮発性メモリであるとされる磁気ランダムアクセスメモリ(MRAM)の3次元積層プロセス技術を開発したと発表した。

[17:23 5/19]

imec、自己学習型ニューロモルフィックチップで作った楽曲を披露

半導体ナノエレクトロニクス研究機関のベルギーimecは5月16日(欧州時間)、自ら作曲できる自己学習型ニューロモルフィックチップ(神経形態学的半導体デバイス)を開発したと発表した。16~17日にアントワープで開催した「ITF2017」で、その脳型チップが作曲した音楽を披露した。

[17:15 5/18]

東大、マルチフェロイクスにおける巨大な熱ホール効果が生じることを発見

東京大学は、同大学大学院工学系研究科の井手上敏也助教、理化学研究所創発物性科学研究センターの車地崇基礎科学特別研究員、東京大学大学院工学系研究科の石渡晋太郎准教授、十倉好紀教授(理化学研究所 創発物性科学研究センターセンター長兼任)らの研究グループが、磁気秩序と強誘電秩序を合わせ持つマルチフェロイクスFe2Mo3O8、(Zn0.125Fe0.875)2Mo3O8において巨大な熱ホール効果が生じることを発見したことを発表した。

[11:03 5/18]

imecら、義手が触覚を感じることを容易にする極薄人体埋め込みチップを開発

ベルギーの独立系半導体ナノテク研究機関であるimecは、米国フロリダ大学と共同で、患者が義手をもっと直感的に制御できるようにすることを目指した人体埋め込み用極薄シリコンチップの試作に成功したと発表した。

[08:00 5/17]

東大、高性能の導電ゴムを開発 - 内部での銀ナノ粒子自然形成現象を発見

東京大学(東大)は5月16日、印刷できる伸縮性の配線で、元の長さの5倍の長さに伸ばしても世界最高クラスの導電率(935S/cm)を達成したことを発表した。同成果は、同大大学院工学系研究科の松久直司 博士と同 染谷隆夫 教授、理化学研究所 創発物性科学研究センターの橋爪大輔 ユニットリーダー、同 井ノ上大嗣 技師らによるもの詳細は5月15日付け(英国時間)に英国科学誌「Nature Materials」のオンライン速報版に掲載された。

[15:08 5/16]

産総研、次世代有機EL用発光材料「TADF分子」の発光メカニズムを解明

産業技術総合研究所(産総研)は5月11日、次世代型の有機エレクトロルミネッセンス(有機EL)素子用の発光材料として注目される熱活性化遅延蛍光(TADF)を出すTADF分子の発光メカニズムを解明したと発表した。

[19:09 5/12]

導電性の高い透明ナノ薄膜材料を発見、ITO代替に期待 - ミネソタ大

ミネソタ大学の研究チームは、極めて高い導電性を有するナノ薄膜材料を発見したと発表した。バリウム-スズ酸化物(BSO: BaSnO3)のナノ薄膜であり、この種の材料としてはこれまで報告された中で最高の導電率を示すという。ITO膜を代替可能な材料として、高速・低消費電力で動作する電子デバイス、高効率太陽電池などへの応用が期待される。研究論文は、科学誌「Nature Communications」に掲載された。

[17:21 5/12]

エタンから高純度の単層グラフェンを直接合成する手法を開発 - 米英独チーム

米英独の国際研究チームは、エタンから高純度の単層グラフェンを直接合成する手法を開発した。安価なエタンからグラフェンを簡単に合成する方法として注目される。研究には、米国ジョージア工科大学、英国スコットランドのセント・アンドルーズ大学、ドイツのミュンヘン工科大学が参加した。研究論文は、物理化学専門誌「Journal of Physical Chemistry C」に掲載された。

[13:39 5/12]

生物分解可能なフレキシブル有機デバイスを作製 - スタンフォード大

スタンフォード大学の研究チームは、生物分解可能なフレキシブル有機薄膜デバイスを作製した。増加を続ける電子廃棄物の処理問題を解決するのが狙いという。研究論文は、米国科学アカデミー紀要(PNAS)に掲載された。

[11:49 5/11]

強磁性を有する二次元薄膜を発見 - バークレー研究所

米国立バークレー研究所は、クロム-ゲルマニウム-テルル化合物の二次元薄膜が強磁性を有することを発見したと発表した。ナノスケールのメモリ、スピントロニクスデバイス、磁気センサなど、強磁性材料を利用する分野への幅広い応用が期待される。

[11:48 5/2]

阪大、ゲルマニウム中のスピン流伝導におけるスピン散乱現象を確認

大阪大学(阪大)は4月27日、ゲルマニウム(Ge)中のスピン流伝導におけるスピン散乱現象の詳細を明らかにしたと発表した。

[14:22 5/1]

カシミール斥力を発生させるSi-MEMSデバイス構造を実現 - プリンストン大

プリンストン大学と香港科技大学の研究チームは、「カシミール効果」と呼ばれる量子力学的現象を利用して、物体間に斥力を発生させるシリコンデバイス構造を実現したと発表した。カシミール斥力を利用することで、MEMSデバイスの機械的動作にともなう摩擦を極端に小さくしたり、外部エネルギーの供給なしで微小な機械部品を空中に浮かせたりといった、これまでにないデバイスが実現できる可能性がある。研究論文は、光学専門誌「Nature Photonics」に掲載された。

[18:18 4/28]

近大、ユーロピウムをベースにしたCPL発光体を開発 - 赤色の円偏光発光

近畿大学(近大)は4月25日、円偏光を発するCPL発光体を開発したと発表した。

[16:16 4/26]

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