韓国Samsung Electronicsは10月12日（現地時間）、極端紫外放射（EUV）リソグラフィを用いたDDR5メモリの量産開始を発表した。

DRAMの微細化は10nm台に突入しており、Samsung Electronicsでは昨年3月に極端紫外放射（EUV）を用いた業界初のDRAMを出荷している。今回の発表では、EUVを用いて14nmという極めて微細なプロセスのDRAMチップを製造した点がトピックとなっており、さらにそれを5層にスタックした製品の量産を開始。これまでで最も高いビット密度を実現しつつ、ウェハ全体の生産性を約20%高めたとしており、しかも14nmプロセスでは前世代のDRAMよりも消費電力を約20%削減できるという。

Samsung ElectronicsのシニアバイスプレジデントであるJooyoung Lee氏は、発表に寄せて、「今日、従来のアルゴンフロライド（ArF）プロセスでは不可能だった14nmへの微細化をEUVによって実現し、新たな技術的マイルストーンを打ち立てました。これによって5GやAI、メタバースなど、データ駆動型の世界におけるより高性能な製品ニーズに対応し、さらに差別化したメモリソリューションを提供していきます」と述べた。

DDR5は、DDR4比で約2倍となる最大7.2Gbpsという帯域幅を実現するメモリ規格。同社ではデータ需要の急増に対応するため、1チップあたりの密度を24GBにまで高めていきたいとしている。