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米Micron Technologyは3日(現地時間)、34nmプロセスによる4GビットSLC NAND型フラッシュメモリと、50nmプロセスによる2GビットLPDDR(ローパワーDRAM)を組み合わせたNAND-LPDDRマルチチップパッケージ(MCP)を発表した。既にサンプル出荷を開始しており、2010年初めに量産を開始する。
今回の4Gb NAND-2Gb LPDDR MCPは、小型化、低コスト、低消費電力などが重要となるスマートフォンや、MID(Mobile Internet Device)などをターゲットとしたメモリ製品。同社では、このMCPにより、高密度NANDデバイスへの移行を進め、モバイル機器の多機能化に対応することができると説明している。
なお、容量については、現在の携帯機器で主流の容量をターゲットとしているが、さらに高密度な最大8GビットのNANDと8GビットのLPDDRまで、柔軟にサポートすることができるとのこと。
