AMAT、Cu配線にCoを封止膜として利用可能なCVD装置を発表

Applied Materials(AMAT)は5月13日(米国時間)、28nmノード以降のロジックデバイスのCu配線上に、精密な薄膜コバルト(Co)キャップを成膜する装置「Applied Endura Volta CVD Cobalt」を発表した。

同装置はコンフォーマルなコバルトライナーと選択成膜によるコバルトキャップを組み合わせることで、Cu配線を完全に被包して信頼性を高めることができるようになるとのことで、これによりCu配線を28nmノード以降の微細プロセスでも適用可能にすると同社では説明している。

具体的に同装置は2つのステップでCu配線の延命を可能にする。第1のステップは、薄膜のCoライナーをコンフォーマルに成膜して、狭幅配線の埋め込みマージンを広げるというもの。このプロセスでは、プレクリーン、PVDバリア、CVDコバルトライナー、Cuシードチャンバーを高真空プラットフォーム上でインテグレートすることで、デバイスの性能と歩留まりを高めることを可能にするという。第2のステップは新たな、選択CVD Coキャッピング工程で、CMP処理後にCu配線上をCo選択成膜することで、信頼性と性能を高めるというもの。これにより、デバイス信頼性を80倍以上高めることが可能になったという。

なお同社では、Coを高性能メタル封止膜として利用するこの方法は、過去15年間における配線技術で最も重要な材料変革をもたらすものになるとコメントしている。